電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-03-02 11:35
[招待講演]エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御
中塚 理鄧 云生鈴木陽洋坂下満男田岡紀之財満鎭明名大SDM2014-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-165
抄録 (和) 省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研究では、Ge(001)およびGe(110)基板上へのエピタキシャルNiGe薄膜の形成技術を構築し、様々な界面結晶構造を有するNiGe/n-Geショットキー接合における電気的特性を評価した。NiGe/n-Ge界面のショットキー障壁高さは、NiGe/Ge界面の結晶構造に強く依存することが明らかになった。また、エピタキシャルNiGe/n-Ge界面の形成によって、フェルミレベルピニングを軽減し、ショットキー障壁高さを制御できる可能性が示唆された。 
(英) We need to develop the control technology of the electronic property at metal/Ge interfaces for low-power and high-speed Ge electronic devices. In this study, we have examined the formation of epitaxial NiGe layers on Ge(001) and Ge(110) substrates and have investigated the electrical conduction property of NiGe/Ge Schottky contacts with various interface structures. We clarified the strong dependence of the Schottky barrier height on the crystalline structure of the NiGe/Ge interfaces. Also, we demonstrate the possibility that an epitaxial NiGe/Ge interface promises the alleviation of the Fermi level pining phenomenon and the control of the Schottky barrier height.
キーワード (和) ゲルマニウム / 金属/半導体接合 / エピタキシャル成長 / ジャーマナイド / ショットキー障壁高さ / / /  
(英) germanium / metal/Semiconductor contact / epitaxial growth / germanide / Schottky barrier height / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 469, SDM2014-165, pp. 17-22, 2015年3月.
資料番号 SDM2014-165 
発行日 2015-02-23 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-165

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-03-02 - 2015-03-02 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英) http://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-03-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Formation of Epitaxial Metal/Gemanium Contacts and Control of Electric Conduction Property at the Interface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ゲルマニウム / germanium  
キーワード(2)(和/英) 金属/半導体接合 / metal/Semiconductor contact  
キーワード(3)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(4)(和/英) ジャーマナイド / germanide  
キーワード(5)(和/英) ショットキー障壁高さ / Schottky barrier height  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka /
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya Univ. (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鄧 云生 / Yunsheng Deng /
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya Univ. (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 陽洋 / Akihiro Suzuki /
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya Univ. (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita /
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya Univ. (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka /
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya Univ. (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima /
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya Univ. (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2015-03-02 11:35:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-165 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.469 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2015-02-23 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会