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講演抄録/キーワード
講演名 2015-03-02 15:25
[招待講演]CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価
嶋 紘平東大)・ツ ユアン韓 斌高見澤 悠東北大)・清水秀治東大)・清水康雄東北大)・百瀬 健東大)・井上耕治永井康介東北大)・霜垣幸浩東大SDM2014-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-169
抄録 (和) ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリヤ層としてCo(W)単層バリヤ/ライナー膜を原子層堆積法(ALD)により作製し、その特性を報告して来た。本研究では、Co(W)層の極薄化(1~2 nm)に伴うバリヤ性の低下を見据え、Co(W)バリヤ層上に形成するCuシード層中に微量のMnを添加した。Cuの拡散経路とWおよびMnの偏析機構を解明すべく、サブナノスケールの分解能および3次元での元素マッピングを実現出来る3次元アトムプローブを導入した。その結果、Co(W)中でWが結晶粒界に偏析しスタッフィング構造を取ること、またMnがCu(Mn)中から抜け出しCo(W)の結晶粒界に選択的に偏析することでCo(W)のバリヤ性を効果的に向上させられる事を見出した。 
(英) We propose new materials system of a single layered Co(W) barrier/liner layer coupled with a Cu(Mn) alloy seed layer for reliable ULSI Cu interconnects at 1X nm technology node. The barrier property of Cu(Mn)/Co(W) system was characterized using 3D atom probe. The distributions of W and Mn were visualized with sub-nanoscale resolution in the three dimensions. W was confirmed to segregate at the grain boundaries (GBs) of Co(W) by stuffing the Cu diffusion path, and added Mn diffused out from Cu(Mn) and selectively segregated at the GBs of Co(W),which is expected to reinforce the barrier property of ultra-thin (1~ 2 nm) Co(W).
キーワード (和) 1X nm世代 / 極薄バリヤ/ライナー層 / 合金シード層 / Cu拡散 / CVD / ALD / 3次元アトムプローブ /  
(英) 1X nm node / Ultra-thin barrier/liner layer / Alloy seed layer / Cu diffusion / CVD / ALD / 3D atom probe /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 469, SDM2014-169, pp. 39-44, 2015年3月.
資料番号 SDM2014-169 
発行日 2015-02-23 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-169

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-03-02 - 2015-03-02 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英) http://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-03-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Sub-nanoscale Structure and Barrier Performance of CVD-Cu(Mn)/ALD-Co(W) Interconnect System Proved Using 3D Atom Probe 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 1X nm世代 / 1X nm node  
キーワード(2)(和/英) 極薄バリヤ/ライナー層 / Ultra-thin barrier/liner layer  
キーワード(3)(和/英) 合金シード層 / Alloy seed layer  
キーワード(4)(和/英) Cu拡散 / Cu diffusion  
キーワード(5)(和/英) CVD / CVD  
キーワード(6)(和/英) ALD / ALD  
キーワード(7)(和/英) 3次元アトムプローブ / 3D atom probe  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶋 紘平 / Kohei Shima /
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univ. of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ツ ユアン / Yuan Tu /
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Univ. (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 韓 斌 / Bin Han /
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Univ. (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高見澤 悠 / Hisashi Takamizawa /
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Univ. (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 秀治 / Hideharu Shimizu /
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univ. of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 康雄 / Yasuo Shimizu /
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Univ. (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 健 / Takeshi Momose /
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univ. of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 耕治 / Koji Inoue /
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Univ. (略称: Tohoku Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 永井 康介 / Yasuyoshi Nagai /
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku Univ. (略称: Tohoku Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 霜垣 幸浩 / Yukihiro Shimogaki /
第10著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The Univ. of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-03-02 15:25:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-169 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.469 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数
発行日 2015-02-23 (SDM) 


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