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講演抄録/キーワード
講演名 2015-02-06 10:15
GaAsナノワイヤFETおよびカーボンナノチューブ素子の電流雑音特性
井上慎也・○葛西誠也北大)・アグン セティアディ赤井 恵阪大ED2014-148 SDM2014-157 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-148 SDM2014-157
抄録 (和) 単一分子の電荷ダイナミクス検出を目指し,単一分子を表面に分散させたGaAsナノワイヤFETおよびカーボンナノチューブ(CNT)ネットワークの電流雑音について評価検討した結果について報告する.ショットキーゲートGaAsナノワイヤFETは一般的に1/f雑音を示すが,テトラフェニルポルフィリン分子(TPP)を表面に分散しその吸収帯波長近辺の光照射条件において1/ƒ2スペクトルをもつローレンツ型雑音が重畳した.1/ƒ2スペクトル雑音はCNTネットワーク表面に燐モリブデン酸分子(PMo12)を分散させた場合にも観測された.ローレンツ型雑音は離散事象の反映であり,単一分子の離散電荷状態を反映したものと考えられる 
(英) For detection of charge dynamics of single molecules, we investigate current noises in GaAs nanowire FET and Carbon nanotube (CNT) network with single molecules dispersed on their surfaces. The Schottky-gate GaAs nanowire FETs with Tetraphenylporphyrin (TPP) under 405-nm light irradiation showed 1/f2 drain current noise having Lorentzian spectrum, whereas the GaAs nanowire FET usually have shown 1/f noise. 1/f2 noise was also observed in a CNT network with Phosphododecamolybdic acid (PMo12) on its surface. Since Lorentzian spectrum arises from a random discrete event, the observed noise suggested the discrete charge state of the single molecules.
キーワード (和) GaAsナノワイヤ / カーボンナノチューブ / 単一分子 / 雑音 / / / /  
(英) GaAs nanowire / Carbon nanotube / single molecule / noise / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 442, ED2014-148, pp. 57-61, 2015年2月.
資料番号 ED2014-148 
発行日 2015-01-29 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2014-148 SDM2014-157 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-148 SDM2014-157

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2015-02-05 - 2015-02-06 
開催地(和) 北海道大学(百年記念会館) 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaAsナノワイヤFETおよびカーボンナノチューブ素子の電流雑音特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Current Noise Characteristics in GaAs-based Nanowire FETs and Carbon Nanotube Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaAsナノワイヤ / GaAs nanowire  
キーワード(2)(和/英) カーボンナノチューブ / Carbon nanotube  
キーワード(3)(和/英) 単一分子 / single molecule  
キーワード(4)(和/英) 雑音 / noise  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 慎也 / Shinya Inoue / イノウエ シンヤ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) アグン セティアディ / Agung Setiadi / アグン セティアディ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤井 恵 / Megumi Akai-Kasaya / アカイ メグミ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2015-02-06 10:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2014-148,IEICE-SDM2014-157 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.442(ED), no.443(SDM) 
ページ範囲 pp.57-61 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2015-01-29,IEICE-SDM-2015-01-29 


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