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講演抄録/キーワード
講演名 2015-02-05 14:40
実時間チャージポンピングの精度評価
渡辺時暢堀 匡寛富山大)・土屋敏章島根大)・小野行徳富山大ED2014-140 SDM2014-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-140 SDM2014-149
抄録 (和) チャージポンピング(CP)はMOSFETの界面欠陥密度を評価するために用いられる手法である.CP法は周期的なパルスをゲートに印加することによって流れる平均電流から界面欠陥密度を評価する.しかしながら,この手法では捕獲,再結合といったCPの過程で生じる現象が覆い隠されてしまう.そこで我々は,CPの過程で生じる現象を解明するために実時間CP法を研究している.ここでは,同手法の精度評価を目的として,実時間CP法と従来のCP法を用いて得られた界面欠陥密度を比較した.その結果,両手法で求めた界面欠陥密度が等しくなることを示し,実時間CP法が欠陥密度の評価に対して十分に精度があるものであることを証明する. 
(英) The charge pumping (CP) is method that is used for analyzing interface defects. The CP method evaluates interface defects form time-average current generated by applying a repetitive gate pulse. However, in this method, phenomena such as the capture and recombination in CP process are obscured. Therefore, we have been studying time-domain CP method for revealing phenomena generated in CP process. Here, for the purpose of evaluating the accuracy of the method, we compared the defect density that is obtained by using the time-domain CP method and the conventional CP methods. The results show that they are equal, demonstrating that the time-domain CP method is sufficiently accurate.
キーワード (和) チャージポンピング / 実時間計測 / 電子の捕獲 / 正孔の再結合 / / / /  
(英) Charge pumping / Time domain measurement / Electron capture / Hole recombination / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 443, SDM2014-149, pp. 13-16, 2015年2月.
資料番号 SDM2014-149 
発行日 2015-01-29 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-140 SDM2014-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-140 SDM2014-149

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2015-02-05 - 2015-02-06 
開催地(和) 北海道大学(百年記念会館) 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 実時間チャージポンピングの精度評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Accuracy of Time Domain Charge Pumping 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) チャージポンピング / Charge pumping  
キーワード(2)(和/英) 実時間計測 / Time domain measurement  
キーワード(3)(和/英) 電子の捕獲 / Electron capture  
キーワード(4)(和/英) 正孔の再結合 / Hole recombination  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 時暢 / Tokinobu Watanabe / ワタナベ トキノブ
第1著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀 匡寛 / Masahiro Hori / ホリ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 土屋 敏章 / Toshiaki Tsuchiya / ツチヤ トシアキ
第3著者 所属(和/英) 島根大学 (略称: 島根大)
Shimane University (略称: Shimane Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 行徳 / Yukinori Ono / オノ ユキノリ
第4著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. of Toyama)
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講演者
発表日時 2015-02-05 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2014-140,IEICE-SDM2014-149 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.442(ED), no.443(SDM) 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2015-01-29,IEICE-SDM-2015-01-29 


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