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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-02-05 15:05 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性 ○吉岡 勇・佐藤 光・内田貴史・福地 厚・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）  ED2014-141 SDM2014-150 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-141 SDM2014-150 |
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| 抄録 | （和） | ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この高機能化は、多くの入力ゲートが、多くのナノドットと結合していることに依るが、ゲート数を増やすと、他のゲートにシールドされ多くのドットと容量結合できなくなる。本研究では、ゲート配置に対するナノドットアレイの機能性について、入力ゲートと結合するドット数が異なるデバイスを実際に評価した。入力ゲートがナノドットアレイの一部分としか結合していないデバイスでもXORなどの論理関数を得ることができた。これにより、ナノドットアレイデバイスで独立にゲートを接続しても高機能性は維持されることがわかった。 |
| （英） | Nanodot-array single-electron devices with multi-inputs and multi-outputs achieve higher functionality that conventional CMOS devices do not have. This functionality is provided by special feature in which many input gates couple capacitively with many nanodots. When the number of gates increases, shield effect by the other gates disturb the coupling many nanodots. Here, we investigate the functionality of devices with different gate arrangement and achieved complicated logic functions such as XOR even by the use of a nanodot array device with almost independent input gates. | |
| キーワード | （和） | 単電子デバイス / 多入力・多出力デバイス / 論理関数 / / / / / |
| （英） | single-electron device / multi-input and multi-output device / logic function / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 442, ED2014-141, pp. 17-22, 2015年2月. | |
| 資料番号 | ED2014-141 | |
| 発行日 | 2015-01-29 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-141 SDM2014-150 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-141 SDM2014-150 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2015-02-05 - 2015-02-06 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly functionality of three-terminal nanodot array for multi-input and multi-output devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子デバイス / single-electron device |
| キーワード(2)（和/英） | 多入力・多出力デバイス / multi-input and multi-output device |
| キーワード(3)（和/英） | 論理関数 / logic function |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 勇 / Isamu Yoshioka / ヨシオカ イサム |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 光 / Hikaru Satoh / サトウ ヒカル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 貴史 / Takafumi Uchida / ウチダ タカフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福地 厚 / Atsushi Tsurumaki-Fukuchi / フクチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-02-05 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-141, SDM2014-150 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.442(ED), no.443(SDM) |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-01-29 (ED, SDM) |
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