講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-01-30 10:00
SiCパワーデバイスを使った変換器の高周波スイッチング動作に関する検討 ○佐藤伸二・谷澤秀和・高橋弘樹・安在岳士・樋山浩平・村上善則・佐藤 弘(FUPET) EE2014-34 |
抄録 |
(和) |
SiCパワーデバイスは従来から用いられているSiと比較して高温で動作させることができる。また高速スイッチングを利用して高周波スイッチングが実現する。これらの特徴を利用して、変換器の高効率化および小型化が期待できる。本論文では、SiC を用いて位相シフト型DC-DC コンバータを試作し、その実験によって課題を明確にする |
(英) |
SiC power devices can be operated in the higher temperature than Si power devices. And also, it can achieve the high-speed switching operation with lower switching losses, so that the high frequency switching can be realized. Thus, there is a possibility that a cooling system and electrical filter can be smaller. It can leads the whole converter system smaller. In this paper, we discuss the design of high frequency power converter using SiC power devices. |
キーワード |
(和) |
SiCパワーデバイス / 接合FET / 寄生キャパシタ / ワイドギャップ半導体 / DC-DC変換器 / / / |
(英) |
SiC power device / JFET / Strain capacitor / wide-gap semiconductor / DC-DC converter / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 429, EE2014-34, pp. 31-35, 2015年1月. |
資料番号 |
EE2014-34 |
発行日 |
2015-01-22 (EE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EE2014-34 |