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講演抄録/キーワード
講演名 2015-01-29 17:00
薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討
小坂 翼中村昌平宇佐美公良芝浦工大
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抄録 (和) 微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決するためにFD-SOI デバイスの1つである薄膜BOX-SOI(SOTB:Silicon on Thin BOX)が提案されている。またトランジスタには発熱の問題がある。発熱はトランジスタの劣化や故障を引き起こし、チップの動作に異常をきたす。そのため、チップ上の温度を測定する温度センサが必要となっている。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIに向けた温度センサを提案する。提案する温度センサを実装したSOTBとバルク65nmプロセスの試作チップを用いて測定を行い、従来のバルクトランジスタと比較して温度に対する分解能を増大させ、チップごとのプロセスばらつきを基板バイアスによって低減できることを示す。 
(英) The performance advancement by the transistor scaling is blocked by increase of power consumption and process variation. Silicon on Thin BOX(SOTB) solve these problems. In addition, there is a problem that the temperature changes in a transistor. The temperature change causes deterioration and the trouble of the transistor and causes malfunction of the chip. The temperature sensor which measures the temperature in the chip is necessary. In this paper, a temperature sensor for SOTB is proposed. We demonstrate that the temperature sensor for SOTB enables us to achieve high precision of the thermometry and mitigate the process variation at every chip by Body Bias than a conventional bulk transistor.
キーワード (和) 薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / 温度センサ / リークモニタ / プロセスばらつき / / /  
(英) Silicon-on -Thin-BOX MOSFET / Body Biasv / Temperature sensor / Leakage monitor / Process variation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 426, VLD2014-127, pp. 99-104, 2015年1月.
資料番号 VLD2014-127 
発行日 2015-01-22 (VLD, CPSY, RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 RECONF CPSY VLD IPSJ-SLDM  
開催期間 2015-01-29 - 2015-01-30 
開催地(和) 慶應義塾大学 日吉キャンパス 
開催地(英) Hiyoshi Campus, Keio University 
テーマ(和) FPGA応用および一般 
テーマ(英) FPGA Applications, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2015-01-RECONF-CPSY-VLD-SLDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Temperature sensor applying Body Bias in Silicon-on-Thin-BOX 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜BOX-SOI / Silicon-on -Thin-BOX MOSFET  
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス / Body Biasv  
キーワード(3)(和/英) 温度センサ / Temperature sensor  
キーワード(4)(和/英) リークモニタ / Leakage monitor  
キーワード(5)(和/英) プロセスばらつき / Process variation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小坂 翼 / Tsubasa Kosaka / コサカ ツバサ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: S.I.T.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 昌平 / Shohei Nakamura / ナカムラ ショウヘイ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: S.I.T.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami /
第3著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute (略称: S.I.T.)
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講演者
発表日時 2015-01-29 17:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2014-127,IEICE-CPSY2014-136,IEICE-RECONF2014-60 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.426(VLD), no.427(CPSY), no.428(RECONF) 
ページ範囲 pp.99-104 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2015-01-22,IEICE-CPSY-2015-01-22,IEICE-RECONF-2015-01-22 


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