講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-01-29 17:00
薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
抄録 |
(和) |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決するためにFD-SOI デバイスの1つである薄膜BOX-SOI(SOTB:Silicon on Thin BOX)が提案されている。またトランジスタには発熱の問題がある。発熱はトランジスタの劣化や故障を引き起こし、チップの動作に異常をきたす。そのため、チップ上の温度を測定する温度センサが必要となっている。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIに向けた温度センサを提案する。提案する温度センサを実装したSOTBとバルク65nmプロセスの試作チップを用いて測定を行い、従来のバルクトランジスタと比較して温度に対する分解能を増大させ、チップごとのプロセスばらつきを基板バイアスによって低減できることを示す。 |
(英) |
The performance advancement by the transistor scaling is blocked by increase of power consumption and process variation. Silicon on Thin BOX(SOTB) solve these problems. In addition, there is a problem that the temperature changes in a transistor. The temperature change causes deterioration and the trouble of the transistor and causes malfunction of the chip. The temperature sensor which measures the temperature in the chip is necessary. In this paper, a temperature sensor for SOTB is proposed. We demonstrate that the temperature sensor for SOTB enables us to achieve high precision of the thermometry and mitigate the process variation at every chip by Body Bias than a conventional bulk transistor. |
キーワード |
(和) |
薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / 温度センサ / リークモニタ / プロセスばらつき / / / |
(英) |
Silicon-on -Thin-BOX MOSFET / Body Biasv / Temperature sensor / Leakage monitor / Process variation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 426, VLD2014-127, pp. 99-104, 2015年1月. |
資料番号 |
VLD2014-127 |
発行日 |
2015-01-22 (VLD, CPSY, RECONF) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
研究会情報 |
研究会 |
RECONF CPSY VLD IPSJ-SLDM |
開催期間 |
2015-01-29 - 2015-01-30 |
開催地(和) |
慶應義塾大学 日吉キャンパス |
開催地(英) |
Hiyoshi Campus, Keio University |
テーマ(和) |
FPGA応用および一般 |
テーマ(英) |
FPGA Applications, etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
VLD |
会議コード |
2015-01-RECONF-CPSY-VLD-SLDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Temperature sensor applying Body Bias in Silicon-on-Thin-BOX |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
薄膜BOX-SOI / Silicon-on -Thin-BOX MOSFET |
キーワード(2)(和/英) |
基板バイアス / Body Biasv |
キーワード(3)(和/英) |
温度センサ / Temperature sensor |
キーワード(4)(和/英) |
リークモニタ / Leakage monitor |
キーワード(5)(和/英) |
プロセスばらつき / Process variation |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小坂 翼 / Tsubasa Kosaka / コサカ ツバサ |
第1著者 所属(和/英) |
芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: S.I.T.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 昌平 / Shohei Nakamura / ナカムラ ショウヘイ |
第2著者 所属(和/英) |
芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: S.I.T.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / |
第3著者 所属(和/英) |
芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute (略称: S.I.T.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-01-29 17:00:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
VLD |
資料番号 |
VLD2014-127, CPSY2014-136, RECONF2014-60 |
巻番号(vol) |
vol.114 |
号番号(no) |
no.426(VLD), no.427(CPSY), no.428(RECONF) |
ページ範囲 |
pp.99-104 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2015-01-22 (VLD, CPSY, RECONF) |