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| 講演名 | 2015-01-27 11:15 ［招待講演］フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証 ○臼田宏治・鎌田善巳・上牟田雄一・森 貴洋・小池正浩・手塚 勉（産総研）  SDM2014-138 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-138 |
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| 抄録 | （和） | 多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用チャネルとして注目される。しかし、ｎMOSFET性能が不十分で、多結晶Si-TFTのCMOS性能を上回るのは難しい。今回、flash lamp annealing (FLA)で高品質多結晶Geチャネル層を形成、junction-less tri-gate p-/n-MOSFETを試作した。結果、p型/ n型Ge膜のホール効果移動度は200／140（cm2/Vs）と高く、MOSFETの電流駆動力は、p型で多結晶Siのそれを上回り、 n型で従来の約10倍、多結晶Siのそれと同等となった。即ち、多結晶Si-CMOSを超える特性が多結晶Ge-CMOSで期待できる。 |
| （英） | Poly-crystalline Ge (poly-Ge) layer can be candidate for the channel of stacking 3D-CMOS from the viewpoint of low-thermal budget processes. However, the performances have been lower than that of poly-crystalline Si (poly-Si). We employed a flash lamp annealing (FLA) method to form high quality poly-Ge. As a results, Hall effect hole and electron mobility were as high as 200 and 140 (cm2/Vs). Drive current of junction-less (JL) nMOSFETs was greatly improved (x10). And drive current of the pMOSFET exhibited 311 µA/µm, which was higher than that of poly-Si pMOSFET. Hence, FLA poly-Ge CMOS will provide great potential for future 3D LSIs. | |
| キーワード | （和） | Ge / MOSFET / Flash Lamp Annealing / 多結晶 / 3D-CMOS / / / |
| （英） | Ge / MOSFET / Flash Lamp Annealing / poly crystalline / 3D-CMOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 421, SDM2014-138, pp. 13-16, 2015年1月. | |
| 資料番号 | SDM2014-138 | |
| 発行日 | 2015-01-20 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-138 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-138 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-01-27 - 2015-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-performance tri-gate poly-Ge Junction-less p- and n-MOSFETs Fabricated by Flash Lamp Annealing Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | Flash Lamp Annealing / Flash Lamp Annealing |
| キーワード(4)（和/英） | 多結晶 / poly crystalline |
| キーワード(5)（和/英） | 3D-CMOS / 3D-CMOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 臼田 宏治 / Koji Usuda / |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 善巳 / Yoshiki Kamata / |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta / |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 正浩 / Masahiro Koike / |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手塚 勉 / Tsutomu Tezuka / |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-27 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-138 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.421 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-01-20 (SDM) |
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