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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-01-23 09:00 Poly-Si Hall素子による磁場センサ ～ 高電圧印加とオペアンプ回路による感度向上 ～ ○吉川朗登・松本貴明・宮村祥吾・志賀春紀・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・小澤徳郎・青木幸司・郭 志徹（エーユーオージャパン）  EID2014-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-47 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，poly-Si Hall素子による磁場センサの研究開発を行っている．本研究では，感度を向上させるため、Hall素子に580Vの高電圧印加をし、5.13V/Tの最大感度を得た．また，poly-Si TFTのオペアンプのオープンループゲインの特性を評価し，オペアンプ回路を搭載したpoly-Si TFT Hall素子では，poly-Si TFT Hall素子に対しては10Vの低電圧印加でも，オペアンプ回路による増幅で1.71 V/Tの感度を得た．これらの実験結果からpoly-Si Hall素子が磁束密度の測定に利用できることがわかり，磁場エリアセンサに応用できる可能性があると考えられる． |
| （英） | We are executing research and development of magnetic field sensors using poly-Si Hall devices. In this study, in order to improve the sensitivity, we applied a high voltage of 580V to a Hall device and obtained the maximum sensitivity of 5.13V/T. Moreover, we evaluated open loop gain of an operational amplifier using poly-Si TFTs. In a poly-Si TFT Hall device equipped with the operational amplifier circuit, we applied only a low voltage of 10V to the poly-Si TFT Hall device but obtained a large sensitivity of 1.71 V/T by amplification using the operational amplifier circuit. These experimental results show that poly-Si Hall devices can be utilized to measure the magnetic-flux density and there is a possibility that they can be applied to magnetic-field area sensors. | |
| キーワード | （和） | Ｐｏｌｙ－Ｓｉ / Ｈａｌｌ素子 / 磁場センサ / 高電圧印加 / オペアンプ / / / |
| （英） | Poly-Si / Hall device / Magnetic field sensor / High voltage / Operational amplifier circuit / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 407, EID2014-47, pp. 49-52, 2015年1月. | |
| 資料番号 | EID2014-47 | |
| 発行日 | 2015-01-15 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID ITE-IDY IEIJ-SSL IEE-EDD SID-JC |
| 開催期間 | 2015-01-22 - 2015-01-23 |
| 開催地（和） | 龍谷大学響都ホール校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2015-01-EID-IDY-SSL-EDD-JC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Poly-Si Hall素子による磁場センサ |
| サブタイトル（和） | 高電圧印加とオペアンプ回路による感度向上 |
| タイトル（英） | Magnetic-Field Sensor using Poly-Si Hall Device |
| サブタイトル（英） | Sensitivity Improved by High Voltage Application and OpAmp Circuits |
| キーワード(1)（和/英） | Ｐｏｌｙ－Ｓｉ / Poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | Ｈａｌｌ素子 / Hall device |
| キーワード(3)（和/英） | 磁場センサ / Magnetic field sensor |
| キーワード(4)（和/英） | 高電圧印加 / High voltage |
| キーワード(5)（和/英） | オペアンプ / Operational amplifier circuit |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 朗登 / Akito Yoshikawa / ヨシカワ アキト |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 貴明 / Takaaki Matsumoto / マツモト タカアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮村 祥吾 / Shougo Miyamura / ミヤムラ ショウゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志賀 春紀 / Haruki Shiga / シガ ハルキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 徳郎 / Tokuro Ozawa / オザワ トクロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社日本エーユー・オプトロニクス (略称： エーユーオージャパン) R&D Department,AU Optronics CorporationJapan (略称： AUOJ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 幸司 / Koji Aoki / アオキ コウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社日本エーユー・オプトロニクス (略称： エーユーオージャパン) R&D Department,AU Optronics CorporationJapan (略称： AUOJ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 郭 志徹 / Chih-Che Kuo / |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社日本エーユー・オプトロニクス (略称： エーユーオージャパン) R&D Department,AU Optronics CorporationJapan (略称： AUOJ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-23 09:00:00 |
| 発表時間 | 8分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2014-47 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.407 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-01-15 (EID) |
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