講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-01-16 09:35
低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ ○君島正幸・小山 慧・大西将夫(アドバンテスト研) ED2014-125 MW2014-189 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-125 MW2014-189 |
抄録 |
(和) |
低ゲートリークTaONパッシベーションGaN ショットキーHEMTプロセスを用いたRFテスタフロントエンド用10MHz~12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチについて報告する.TaONパッシベーション膜の超低ゲートリーク特性により,低域から高域に亘る周波数帯域において52dBm以上の入力3次歪み特性を得た.さらにTaON膜の低ダメージデポジッションにより,対最終収束値0.01dB以内制定時間10μs 以下を実現した.TTL制御可能なデコード回路を内蔵し利便性と集積性を高めた. |
(英) |
A 10 MHz – 12 GHz low distortion high speed single pole 4 throw (SP4T) GaN HEMT switch for RF Automated Test Equipment (ATE) is described. The switch is fabricated with the Schottky GaN HEMT process with drastically decreased gate leakage current having tantalum oxynitride (TaON) passivation films to improve distortion performances at low frequency. The switch has high input 3rd order intercept point (IP3) of more than 52 dBm across a frequency range of 10 MHz to 12 GHz and fast settling time of less than 10 μs to within 0.01 dB. In addition, a drastic low damage passivation deposition technology can execute very high speed switching performance. An on-chip decode logic with TTL level input for the state control is also integrated. |
キーワード |
(和) |
GaN HEMT / ゲートリーク電流 / RFスイッチ / / / / / |
(英) |
GaN HEMT / gate leakage current / RF switch / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 392, MW2014-189, pp. 47-51, 2015年1月. |
資料番号 |
MW2014-189 |
発行日 |
2015-01-08 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2014-125 MW2014-189 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-125 MW2014-189 |
研究会情報 |
研究会 |
MW ED |
開催期間 |
2015-01-15 - 2015-01-16 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/一般 |
テーマ(英) |
Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
MW |
会議コード |
2015-01-MW-ED |
本文の言語 |
英語(日本語タイトルあり) |
タイトル(和) |
低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A 10 MHz to 12 GHz Low-Distortion High-Speed SP4T Switch for RF ATE Using TaON Passivation GaN HEMTs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaN HEMT / GaN HEMT |
キーワード(2)(和/英) |
ゲートリーク電流 / gate leakage current |
キーワード(3)(和/英) |
RFスイッチ / RF switch |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
君島 正幸 / Masayuki Kimishima / キミシマ マサユキ |
第1著者 所属(和/英) |
アドバンテスト研究所 (略称: アドバンテスト研)
Advantest Laboratories (略称: Advantest Lab,) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小山 慧 / Satosi Koyama / コヤマ サトシ |
第2著者 所属(和/英) |
アドバンテスト研究所 (略称: アドバンテスト研)
Advantest Laboratories (略称: Advantest Lab,) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大西 将夫 / Masao Onishi / オオニシ マサオ |
第3著者 所属(和/英) |
アドバンテスト研究所 (略称: アドバンテスト研)
Advantest Laboratories (略称: Advantest Lab,) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-01-16 09:35:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
MW |
資料番号 |
ED2014-125, MW2014-189 |
巻番号(vol) |
vol.114 |
号番号(no) |
no.391(ED), no.392(MW) |
ページ範囲 |
pp.47-51 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2015-01-08 (ED, MW) |
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