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講演抄録/キーワード
講演名 2015-01-16 11:30
過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-129 MW2014-193
抄録 (和) GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計算の両面から解析を行った.まず,バッファ層のFeドープ濃度の異なる2種類のデバイスに関して過渡応答の温度特性測定を行い,時定数解析を行った.そして時定数解析で求めたトラップ準位及び捕獲断面積等を用いてTCADシミュレーションでGaN層中のバッファトラップと過渡応答特性の関係について検討した.その結果,オフ状態バイアス時に負に帯電したバッファトラップから電子が過渡的に放出されてバッファ層のコンダクションバンドが低下し,ドレイン電流が増大することを実測と計算の両面から明らかにした. 
(英) In this paper, we reported the result of analysis of traps at the buffer in GaN HEMT by both transient response measurement and TCAD simulation. The two type devices which differ only in the concentration of Fe at GaN buffer layer was prepared, and the transient response from OFF state to ON state was measured at various temperature. Trap energy and capture cross-section at GaN buffer layer were extracted by analysis of time constant of traps. And, by using TCAD simulation and these trap parameters, the relationship with traps at GaN buffer layer and transient response was analyzed. In the result, it was found that transient current was increased because electrons which were captured in traps at GaN buffer at OFF state were emitted at ON state, and transient drain current was increased.
キーワード (和) GaN / HEMT / トラップ / 過渡応答測定 / TCAD / Fe / バッファ /  
(英) GaN / HEMT / trap / transient response / TCAD / Fe / buffer /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 391, ED2014-129, pp. 71-76, 2015年1月.
資料番号 ED2014-129 
発行日 2015-01-08 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-129 MW2014-193 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-129 MW2014-193

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2015-01-15 - 2015-01-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Modeling of traps for GaN HEMT by transient response measurement and TCAD simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(3)(和/英) トラップ / trap  
キーワード(4)(和/英) 過渡応答測定 / transient response  
キーワード(5)(和/英) TCAD / TCAD  
キーワード(6)(和/英) Fe / Fe  
キーワード(7)(和/英) バッファ / buffer  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 南條 拓真 / Takuma Nanjo / ナンジョウ タクマ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama / コヤマ ヒデトシ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo / カモ ヨシタカ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric corporation (略称: Mitsubishi Electric corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第6著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
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講演者
発表日時 2015-01-16 11:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2014-129,IEICE-MW2014-193 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.391(ED), no.392(MW) 
ページ範囲 pp.71-76 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2015-01-08,IEICE-MW-2015-01-08 


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