講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-01-16 11:30
過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治(三菱電機)・大石敏之(佐賀大) ED2014-129 MW2014-193 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-129 MW2014-193 |
抄録 |
(和) |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計算の両面から解析を行った.まず,バッファ層のFeドープ濃度の異なる2種類のデバイスに関して過渡応答の温度特性測定を行い,時定数解析を行った.そして時定数解析で求めたトラップ準位及び捕獲断面積等を用いてTCADシミュレーションでGaN層中のバッファトラップと過渡応答特性の関係について検討した.その結果,オフ状態バイアス時に負に帯電したバッファトラップから電子が過渡的に放出されてバッファ層のコンダクションバンドが低下し,ドレイン電流が増大することを実測と計算の両面から明らかにした. |
(英) |
In this paper, we reported the result of analysis of traps at the buffer in GaN HEMT by both transient response measurement and TCAD simulation. The two type devices which differ only in the concentration of Fe at GaN buffer layer was prepared, and the transient response from OFF state to ON state was measured at various temperature. Trap energy and capture cross-section at GaN buffer layer were extracted by analysis of time constant of traps. And, by using TCAD simulation and these trap parameters, the relationship with traps at GaN buffer layer and transient response was analyzed. In the result, it was found that transient current was increased because electrons which were captured in traps at GaN buffer at OFF state were emitted at ON state, and transient drain current was increased. |
キーワード |
(和) |
GaN / HEMT / トラップ / 過渡応答測定 / TCAD / Fe / バッファ / |
(英) |
GaN / HEMT / trap / transient response / TCAD / Fe / buffer / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 391, ED2014-129, pp. 71-76, 2015年1月. |
資料番号 |
ED2014-129 |
発行日 |
2015-01-08 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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