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| 講演名 | 2014-12-23 10:30 ［招待講演］純粋3準位レーザ構造を用いたGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研）  ED2014-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-110 |
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| 抄録 | （和） | 巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するIII族窒化物半導体はテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の「発振周波数帯の拡張(5-12THz)」という課題を解決する材料として期待されている。本研究では、これまで制御が困難であった「狙ったサブバンド準位間からの発振」を実現することを目的とし、発振に関わる準位数を最小限の3つに限定した量子構造をもつTHz-QCL素子の提案・設計・作製を行った。その結果、設計周波数とほぼ同じ周波数にあたる5.5及び7.0THzからのレーザ発振動作を実現した。これはGaN系材料を用いたQCLとしては初めてのレーザ発振の結果となる。また、今回実現したTHz-QCLの発振周波数はこれまでの未踏周波数領域に位置しており、本研究によって初めて新しい周波数領域を切り開くことに成功した。 |
| （英） | III-Nitride semiconductors having huge longitudinal optical phonon energies are promising as materials to solve a problem of "development of operational frequency range (5-12 THz)" on terahertz quantum cascade lasers (THz-QCLs). In this study, for the purpose of realization of THz lasing due to optical transition between target subband levels, we designed and fabricated THz-QCLs with unique quantum cascade (QC) structures whose number of wave-functions contributed to lasing is limited to minimum 3 subband levels. We successfully for the first time observed lasing action emitting at the same frequencies (5.5 and 7.0 THz) as the target ones from GaN-based THz-QCL devices. We also successfully opened up new frequency region on THz-QCLs. | |
| キーワード | （和） | III族窒化物半導体 / 量子カスケードレーザ / 発振 / テラヘルツ / / / / |
| （英） | III-nitride semiconductors / Quantum cascade laser / Lasing / Terahertz / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 387, ED2014-110, pp. 69-74, 2014年12月. | |
| 資料番号 | ED2014-110 | |
| 発行日 | 2014-12-15 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-12-22 - 2014-12-23 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 純粋3準位レーザ構造を用いたGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of GaN-based Terahertz Quantum Cascade Lasers using Pure Three-Level Laser Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | III族窒化物半導体 / III-nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 量子カスケードレーザ / Quantum cascade laser |
| キーワード(3)（和/英） | 発振 / Lasing |
| キーワード(4)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺嶋 亘 / Wataru Terashima / テラシマ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-23 10:30:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-110 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.387 |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-12-15 (ED) |
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