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講演抄録/キーワード
講演名 2014-12-22 14:35
90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性
渡邊一世NICT)・遠藤 聡NICT/富士通研)・笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2014-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-101
抄録 (和) InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく,ミリ波帯(30~300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz~3 THz)で動作可能で,将来の超高速無線通信や未利用周波数資源の開拓に必要不可欠な電子デバイスである.今回,同一バイアス条件にて電流利得遮断周波数(fT)520 GHz及び周波数90 GHzにおいて最小雑音指数(NFmin)0.8 dBを実現できるゲート長(Lg)35 nmのIn0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMTの出力特性とともに,出力特性のLg依存性について評価した.Lg = 35 nmのHEMT素子において最大利得(Ga_max)9.9 dB及び飽和出力(Psat)9.6 dBm(= 9.1 mW)を周波数90 GHzで得た.またLgを35 nmから95 nmにすると,Ga_maxは7.8 dBに減少する一方,Psatは10.8 dBmに増加した.なお,電力付加効率PAEはLg = 50 nmのときに最大値(29.6%)を示した. 
(英) InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising electron devices not only for future ultra-high-speed wireless communications but also expansion of radio spectrum resources in millimeter- (30-300 GHz) and sub-millimeter-wave (300 GHz-3 THz) frequency bands; this is because these HEMTs can demonstrate a high current-gain cutoff frequency (fT) and a low minimum noise figure (NFmin). In this contribution, we measured output power performance of the 35-nm-gate In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMT with 520-GHz-fT and 0.8-dB-NFmin at 90-GHz band, and we also investigated the Lg dependence on output power characteritics of the HEMTs.We achieved a high maximum gain (Ga_max) of 9.9 dB and a saturation power (Psat) of 9.6 dBm (= 9.1 mW) at a frequency of 90 GHz. As Lg increased from 35 to 95 nm, Ga_max decreased to 7.8 dB and Psat increased to 10.8 dBm. Maximum power added efficiency (PAE) was 29.6% when the Lg was 50 nm.
キーワード (和) InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 出力特性 / 飽和出力 / 電力付加効率(PAE) / / / /  
(英) InGaAs/InAlAs HEMT / output power performance / saturation power / power added efficiency (PAE) / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 387, ED2014-101, pp. 15-19, 2014年12月.
資料番号 ED2014-101 
発行日 2014-12-15 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-101

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2014-12-22 - 2014-12-23 
開催地(和) 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 
開催地(英)  
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Output power performance of InGaAs/InAlAs HEMT at 90-GHz band 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT) / InGaAs/InAlAs HEMT  
キーワード(2)(和/英) 出力特性 / output power performance  
キーワード(3)(和/英) 飽和出力 / saturation power  
キーワード(4)(和/英) 電力付加効率(PAE) / power added efficiency (PAE)  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第1著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第2著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信通信研究機構/株式会社富士通研究所 (略称: NICT/富士通研)
National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Lab. Ltd. (略称: NICT/Fujistu Lab.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ
第3著者 所属(和/英) 情報通信通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Info. & Com. Tech. (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ
第4著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信通信研究機構/株式会社富士通研究所 (略称: NICT/富士通研)
National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Lab. Ltd. (略称: NICT/Fujistu Lab.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-12-22 14:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-101 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.387 
ページ範囲 pp.15-19 
ページ数
発行日 2014-12-15 (ED) 


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