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講演抄録/キーワード
講演名
2014-12-12 10:45
DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構
○
中村昇平
・
松尾直人
・
部家 彰
・
山名一成
・
高田忠雄
(
兵庫県立大
)・
福山正隆
・
横山 新
(
広島大
)
EID2014-16 SDM2014-111
エレソ技報アーカイブへのリンク:
EID2014-16
SDM2014-111
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-111, pp. 17-20, 2014年12月.
資料番号
SDM2014-111
発行日
2014-12-05 (EID, SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
EID2014-16 SDM2014-111
エレソ技報アーカイブへのリンク:
EID2014-16
SDM2014-111
研究会情報
研究会
SDM EID
開催期間
2014-12-12 - 2014-12-12
開催地(和)
京都大学
開催地(英)
Kyoto University
テーマ(和)
シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術
テーマ(英)
Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2014-12-SDM-EID
本文の言語
日本語
タイトル(和)
DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Conduction mechanism and Charge retention mechanism for DNA memory transistor
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
中村 昇平
/
Shouhei Nakamura
/
ナカムラ ショウヘイ
第1著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
松尾 直人
/
Naoto Matsuo
/
マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
部家 彰
/
Akira Heya
/
ヘヤ アキラ
第3著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
山名 一成
/
Kazushige Yamana
/
ヤマナ カズシゲ
第4著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
高田 忠雄
/
Tadao Takada
/
タカダ タダオ
第5著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
福山 正隆
/
Masatake Fukuyama
/
フクヤマ マサタケ
第6著者 所属(和/英)
広島大学
(略称:
広島大
)
Hiroshima University
(略称:
hiroshima Univ
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
横山 新
/
Shin Yokoyama
/
ヨコヤマ シン
第7著者 所属(和/英)
広島大学
(略称:
広島大
)
Hiroshima University
(略称:
hiroshima Univ
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第8著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2014-12-12 10:45:00
発表時間
15分
申込先研究会
SDM
資料番号
EID2014-16, SDM2014-111
巻番号(vol)
vol.114
号番号(no)
no.359(EID), no.360(SDM)
ページ範囲
pp.17-20
ページ数
4
発行日
2014-12-05 (EID, SDM)
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