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講演抄録/キーワード
講演名 2014-12-12 10:45
DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構
中村昇平松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄兵庫県立大)・福山正隆横山 新広島大EID2014-16 SDM2014-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-16 SDM2014-111
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文献情報 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-111, pp. 17-20, 2014年12月.
資料番号 SDM2014-111 
発行日 2014-12-05 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2014-12-12 - 2014-12-12 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 
テーマ(英) Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Conduction mechanism and Charge retention mechanism for DNA memory transistor 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 昇平 / Shouhei Nakamura / ナカムラ ショウヘイ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山名 一成 / Kazushige Yamana / ヤマナ カズシゲ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ
第5著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 福山 正隆 / Masatake Fukuyama / フクヤマ マサタケ
第6著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: hiroshima Univ)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン
第7著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: hiroshima Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-12-12 10:45:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2014-16, SDM2014-111 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.359(EID), no.360(SDM) 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2014-12-05 (EID, SDM) 


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