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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 16:45 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 ○浅田聡志・奥田貴史・木本恒暢・須田 淳（京大）  EID2014-35 SDM2014-130 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-35 SDM2014-130 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅率は460 Kから200 Kに温度を下げるに従い110から1200に増加した。低温で増幅率が増大するのは、ベース層のイオン化率が低下し、正孔密度が低くなり、注入効率が上昇することに起因する。しかし、200 Kから140 Kまでさらに温度を低下させると、増幅率は1200から515に低下した。これは200 K以下でベースの正孔密度が著しく低下することで、高注入状態により増幅率が抑制されることによると考える。 |
| （英） | Temperature dependence of current gain from 140 to 460 K in a 4H-SiC bipolar junction transistor (SiC BJT) was investigated. The current gain increased with reducing the temperature from 460 to 200 K and exhibited the maximum value of 1200 at 200 K. The higher current gain at the low temperature can be ascribed to an enhanced incomplete ionization of aluminum acceptors in the base layer, resulting in an increase of injection efficiency. However, the current gain decreased from 1200 at temperatures below 200 K. This is caused by high injection condition owing to low hole density in the base layer. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC BJT / 増幅率 / 高注入状態 / / / / / |
| （英） | 4H-SiC BJT / Current gain / High injection / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-130, pp. 115-118, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-130 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-35 SDM2014-130 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-35 SDM2014-130 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC BJTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC BJT / 4H-SiC BJT |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅率 / Current gain |
| キーワード(3)（和/英） | 高注入状態 / High injection |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅田 聡志 / Satoshi Asada / アサダ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥田 貴史 / Takafumi Okuda / オクダ タカフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 16:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-35, SDM2014-130 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.115-118 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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