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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 10:00 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）  EID2014-13 SDM2014-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-13 SDM2014-108 |
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| 抄録 | （和） | 原子論的な手法である強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデルを用いて，長方形断面を有するGeナノワイヤのフォノン制限正孔移動度を計算し，ナノワイヤの方位と断面形状が正孔移動度に与える影響を検討した．移動度の形状依存性をGeナノワイヤの価電子帯構造に基づいて解析し，これが正孔の平均的な有効質量と状態密度から理解できることを示した．今回検討した形状の中で，[001] 方向の高さが大きい断面を持つ[110] ナノワイヤが最も高い正孔移動度を示したため，この構造はp-MOSFETのチャネル材料として有望であるといえる． |
| （英） | We calculated the phonon-limited hole mobility of Ge nanowires with rectangular cross sections based on atomistic methods, a tight-binding approximation and a valence force field model, and investigated the impacts of the orientations and cross-sectional shapes of nanowires on the hole mobility. By analyzing the geometry dependence of mobility based on the valence band structure of Ge nanowires, we showed that the geometry dependence of mobility is understandable by an average effective mass and the density of states of holes. Among the geometries investigated in this study, [110]-oriented nanowires with larger cross-sectional height along the [001] direction showed the highest hole mobility, which indicates that such nanowires are promising as the channel material of p-MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | Geナノワイヤ / 正孔移動度 / フォノン散乱 / 強束縛近似法 / 原子価力場モデル / / / |
| （英） | Ge Nanowire / Hole Mobility / Phonon Scattering / Tight-Binding Approximation / Valence Force Field Model / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-108, pp. 1-6, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-108 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-13 SDM2014-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-13 SDM2014-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shape and Size Effects on Hole Mobility of Rectangular Cross-sectional Ge Nanowires |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Geナノワイヤ / Ge Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | 正孔移動度 / Hole Mobility |
| キーワード(3)（和/英） | フォノン散乱 / Phonon Scattering |
| キーワード(4)（和/英） | 強束縛近似法 / Tight-Binding Approximation |
| キーワード(5)（和/英） | 原子価力場モデル / Valence Force Field Model |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 誠悟 / Seigo Mori / モリ セイゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 直也 / Naoya Morioka / モリオカ ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 10:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-13, SDM2014-108 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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