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| 講演名 | 2014-12-12 16:30 シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大）  EID2014-34 SDM2014-129 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-34 SDM2014-129 |
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| 抄録 | （和） | シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル移動度が課題となっている．Id-Vgs測定は，一般的に直流電圧をゲート電極に印加して掃引することで行われるが，ゲート電圧印加中に界面準位や酸化膜中の欠陥に電子がトラップされることにより電気特性が変動することが指摘されている．本研究では，トラップがドレイン電流に与える影響をより正確に評価するため，電圧印加時間を制御できるシングルパルス電圧を用いたId-Vgs測定を行い，MOS界面特性評価を行った． |
| （英） | SiC MOSFETs have suffered from issues such as threshold voltage instability and low channel mobility due to high interface trap density. Generally, Id-Vgs characteristics of MOSFETs are measured by applying DC voltage to the gate electrode. It has been pointed out that the electron trapping at the interface or oxide defects during electrical measurements brings fluctuations in electrical properties. In this work, we evaluated SiC MOS interface properties by using single pulse Id-Vgs measurements, which enable to measure Id-Vgs characteristics during rise and fall times of the single pulse and evaluate the drain current decrement. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS / 界面特性 / シングルパルスId-Vgs / / / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS / interface characterization / single pulse Id-Vgs / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-129, pp. 109-113, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-129 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-34 SDM2014-129 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-34 SDM2014-129 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface Characterization of 4H-SiC MOSFETs by Single Pulse Id-Vgs Measurements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | 界面特性 / interface characterization |
| キーワード(4)（和/英） | シングルパルスId-Vgs / single pulse Id-Vgs |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯野 弘典 / Kosuke Isono / イソノ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学/筑波大学 (略称： 奈良先端大/筑波大) Nara Institute of Science and Technology/University of Tsukuba (略称： NAIST/Univ. Tsukuba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 16:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-34, SDM2014-129 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.109-113 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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