お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2014-12-01 15:15
[ポスター講演]エラー訂正符号の影響を考慮したHybrid SSDの性能評価
瀧下博文田中丸周平小名木貴裕竹内 健中大ICD2014-88 CPSY2014-100 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-88
抄録 (和) SSDではエラー訂正符号(Error-correcting code, ECC)によって信頼性を高めているが,ECCの符号長を長くするほど訂正能力は上がるのに対し,処理時間は増加するというトレードオフの関係が存在する.Hybrid-SSDはNAND型フラッシュメモリとストレージクラスメモリ(SCM)を組み合わせることにより,従来のフラッシュメモリのみを用いたSSDに比べて著しく高い性能を発揮する.SCMはアクセス速度や消費電力といった点でNAND型フラッシュメモリよりも優れており,不揮発性も有している.SCMの候補として磁気抵抗メモリ(MRAM),相変化メモリ(PRAM),抵抗変化型メモリ(ReRAM)などが存在する.本論文では,SSDシミュレータを用いてHybrid SCM/NANDフラッシュSSDの性能とECCとの関係性を調べた. 
(英) The performance of SSDs is guaranteed by error-correcting code (ECC). The longer parity size of ECC is, the higher error correcting capability becomes while the processing time increases. The Hybrid SSD is composed of NAND flash and storage-class memory (SCM). Then significantly high performance is demonstrated compared with conventional SSD with only NAND flash. SCMs are non-volatile and superior to NAND flash memory in terms of performance and power consumption. The candidates for SCMs are MRAM, PRAM, ReRAM etc. In this paper, the relationship between the performance of SSDs and impact of ECC is examined.
キーワード (和) フラッシュメモリ / SSD / SCM / ECC / / / /  
(英) NAND flash memory / SSD / SCM / ECC / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 345, ICD2014-88, pp. 55-55, 2014年12月.
資料番号 ICD2014-88 
発行日 2014-11-24 (ICD, CPSY) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2014-88 CPSY2014-100 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2014-88

研究会情報
研究会 ICD CPSY  
開催期間 2014-12-01 - 2014-12-02 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2014-12-ICD-CPSY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) エラー訂正符号の影響を考慮したHybrid SSDの性能評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Performance Analysis of the Hybrid SSDs in Consideration of Error-correcting code 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フラッシュメモリ / NAND flash memory  
キーワード(2)(和/英) SSD / SSD  
キーワード(3)(和/英) SCM / SCM  
キーワード(4)(和/英) ECC / ECC  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀧下 博文 / Hirofumi Takishita / タキシタ ヒロフミ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo Univercity (略称: Chuo Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo Univercity (略称: Chuo Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小名木 貴裕 / Takahiro Onagi / オナギ タカヒロ
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo Univercity (略称: Chuo Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第4著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo Univercity (略称: Chuo Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2014-12-01 15:15:00 
発表時間 120 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2014-88,IEICE-CPSY2014-100 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.345(ICD), no.346(CPSY) 
ページ範囲 p.55 
ページ数 IEICE-1 
発行日 IEICE-ICD-2014-11-24,IEICE-CPSY-2014-11-24 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会