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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-28 09:30
2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現
寺嶋 亘平山秀樹理研ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113
抄録 (和) 巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯の拡張(5-12THz)“という課題を解決する材料として期待されている。本研究では、これまで制御困難であった”狙ったサブバンド準位間からの発光・発振“を実現することを目的とし、準位数を最小限にした2つの量子井戸からなる構造でかつ対角遷移発光機構をもつTHz-QCL構造(純粋3準位レーザ構造)を提案・設計・作製した。その結果、目的の周波数とほぼ同じ5.5THzでレーザ発振動作を観察することに成功した。これはGaN系材料を用いたQCLとしては世界で初めてのレーザ発振の結果である。また、観察された発振周波数は従来の未踏周波数領域に属しており、今回初めて新しい周波数領域を切り開くことに成功した。 
(英) III-Nitride semiconductors having huge longitudinal optical phonon energies are promising as materials to solve a problem of "development of operational frequency range (5-12 THz)" on terahertz quantum cascade lasers (THz-QCLs). In this study, for the purpose of realization of THz emission/lasing due to optical transition between target subband levels, we designed and fabricated a simple quantum cascade (QC) structure with a diagonal optical transition scheme whose active region consisted of 2QWs per one-period that minimized the number of laser levels. We successfully for the first time observed lasing action emitting at the same frequency (5.5 THz) as the target one from a GaN-based THz-QCL device. We also successfully opened up new frequency region on THz-QCLs.
キーワード (和) 量子カスケードレーザ / テラヘルツ / 窒化物半導体 / レーザ発振 / / / /  
(英) Quantum cascade laser / Terahertz / III-Nitride semiconductors / Lasing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-113, pp. 59-62, 2014年11月.
資料番号 LQE2014-113 
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2014-11-27 - 2014-11-28 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2014-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Realization of Lasing Action of GaN/AlGaN based Terahertz Quantum Cascade Laser using Two Quantum Well Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子カスケードレーザ / Quantum cascade laser  
キーワード(2)(和/英) テラヘルツ / Terahertz  
キーワード(3)(和/英) 窒化物半導体 / III-Nitride semiconductors  
キーワード(4)(和/英) レーザ発振 / Lasing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺嶋 亘 / Wataru Terashima / テラシマ ワタル
第1著者 所属(和/英) 独立行政法人理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 独立行政法人理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-11-28 09:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2014-85, CPM2014-142, LQE2014-113 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) 
ページ範囲 pp.59-62 
ページ数
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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