講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-28 09:30
2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹(理研) ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 |
抄録 |
(和) |
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯の拡張(5-12THz)“という課題を解決する材料として期待されている。本研究では、これまで制御困難であった”狙ったサブバンド準位間からの発光・発振“を実現することを目的とし、準位数を最小限にした2つの量子井戸からなる構造でかつ対角遷移発光機構をもつTHz-QCL構造(純粋3準位レーザ構造)を提案・設計・作製した。その結果、目的の周波数とほぼ同じ5.5THzでレーザ発振動作を観察することに成功した。これはGaN系材料を用いたQCLとしては世界で初めてのレーザ発振の結果である。また、観察された発振周波数は従来の未踏周波数領域に属しており、今回初めて新しい周波数領域を切り開くことに成功した。 |
(英) |
III-Nitride semiconductors having huge longitudinal optical phonon energies are promising as materials to solve a problem of "development of operational frequency range (5-12 THz)" on terahertz quantum cascade lasers (THz-QCLs). In this study, for the purpose of realization of THz emission/lasing due to optical transition between target subband levels, we designed and fabricated a simple quantum cascade (QC) structure with a diagonal optical transition scheme whose active region consisted of 2QWs per one-period that minimized the number of laser levels. We successfully for the first time observed lasing action emitting at the same frequency (5.5 THz) as the target one from a GaN-based THz-QCL device. We also successfully opened up new frequency region on THz-QCLs. |
キーワード |
(和) |
量子カスケードレーザ / テラヘルツ / 窒化物半導体 / レーザ発振 / / / / |
(英) |
Quantum cascade laser / Terahertz / III-Nitride semiconductors / Lasing / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-113, pp. 59-62, 2014年11月. |
資料番号 |
LQE2014-113 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 |
研究会情報 |
研究会 |
LQE ED CPM |
開催期間 |
2014-11-27 - 2014-11-28 |
開催地(和) |
大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2014-11-LQE-ED-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Realization of Lasing Action of GaN/AlGaN based Terahertz Quantum Cascade Laser using Two Quantum Well Structure |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
量子カスケードレーザ / Quantum cascade laser |
キーワード(2)(和/英) |
テラヘルツ / Terahertz |
キーワード(3)(和/英) |
窒化物半導体 / III-Nitride semiconductors |
キーワード(4)(和/英) |
レーザ発振 / Lasing |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
寺嶋 亘 / Wataru Terashima / テラシマ ワタル |
第1著者 所属(和/英) |
独立行政法人理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
第2著者 所属(和/英) |
独立行政法人理化学研究所 (略称: 理研)
RIKEN (略称: RIKEN) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2014-11-28 09:30:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
ED2014-85, CPM2014-142, LQE2014-113 |
巻番号(vol) |
vol.114 |
号番号(no) |
no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
ページ範囲 |
pp.59-62 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |