講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-28 14:05
AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 ○西口賢弥・橋詰 保(北大) ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 336, ED2014-92, pp. 91-95, 2014年11月. |
資料番号 |
ED2014-92 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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研究会情報 |
研究会 |
LQE ED CPM |
開催期間 |
2014-11-27 - 2014-11-28 |
開催地(和) |
大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2014-11-LQE-ED-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Surface charging effects in AlGaN/GaN HEMTs induced by off-stress bias |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西口 賢弥 / Kenya Nishiguchi / ニシグチ ケンヤ |
第1著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkado University (略称: Hokkaido Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / |
第2著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkado University (略称: Hokkaido Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2014-11-28 14:05:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2014-92, CPM2014-149, LQE2014-120 |
巻番号(vol) |
vol.114 |
号番号(no) |
no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
ページ範囲 |
pp.91-95 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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