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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-28 13:40 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価 ○塩島謙次・山本晋吾・木原雄平（福井大）  ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 |
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| 抄録 | （和） | 金属/半導体界面の電気的特性を二次元評価できる界面顕微光応答法を開発し、Au /Ni / n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の評価を行った。400 ℃のアニールにより、I-V特性において漏れ電流が増加した。波長517 nmの界面顕微光応答測定では、部分的に光電流が増加した領域がアニール後に現れた。異なる波長で測定を行い、ショットキー障壁高さを求めた結果、これらの領域で障壁高さの減少がみられた。金属顕微鏡像においても、対応したパターンが観察された。界面反応が部分的に起こり、低障壁層が形成されたと考えられる。本手法が電極熱劣化の初期過程を非破壊で評価できることを明らかにした。 |
| （英） | We have developed a new mapping technique, scanning internal–photoemission microscopy, to characterize the electrical inhomogeneity of metal-semiconductor interfaces. We characterized the initial stage of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky contacts. We found that, upon 400 oC annealing, a partial thermal degradation occurred from a scratch on the dot, where Au atoms diffused to the interface and reacted with GaN. It was confirmed that this method is a powerful tool to map metal contacts for the investigations of partial thermal degradation, formation of parallel contacts, and inhomogeneity of surface chemistry. | |
| キーワード | （和） | ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / GaN / 熱劣化 / / / / |
| （英） | Schottky contacts / Scanning internal photoemission microscopy / GaN / Thermal degradation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 336, ED2014-91, pp. 85-90, 2014年11月. | |
| 資料番号 | ED2014-91 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(2)（和/英） | 界面顕微光応答法 / Scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | 熱劣化 / Thermal degradation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 晋吾 / Shingo Yamamoto / ヤマモト シンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木原 雄平 / Yuhei Kihara / キハラ ユウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-28 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-91, CPM2014-148, LQE2014-119 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.85-90 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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