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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-28 11:50 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED ○定 昌史・前田哲利・平山秀樹（理研）  ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN発光ダイオード（LED）は深紫外域における高機能光源として研究が進められている。AlGaN LEDの現在の課題の1つは光取り出し効率の向上である。通常用いられるp-GaNコンタクト層は深紫外光を吸収するため、表面側からの光取り出しが困難であり、光取り出し効率の上限は50％に制限されてしまう。それゆえ、深紫外域で透明なp-AlGaNコンタクト層の開発は高効率LEDの実現に向けて重要である。今回われわれは、Al組成70％相当のp-AlGaNコンタクト層を有するLEDを作製し、260 nm帯発光において光吸収抑制による発光効率の増大を実現した。 |
| （英） | AlGaN light-emitting diodes (LEDs) have been extensively studied for highly efficient light sources in deep ultraviolet (UV) range. One of the central issues in deep UV LEDs is their low light extraction efficiency. A p-GaN contacting layer, which is widely used for blue-UV LEDs, absorbs the emitted light in deep-UV LEDs. As a result, it is difficult to extract the light from the surface, and the efficiency of the light extraction is limited up to 50%. Therefore, it is very important to develop a transparent p-AlGaN contacting layer in AlGaN LEDs. Here we report the fabrication of the LED containing a p-Al0.7Ga0.3N contacting layer. Nearly zero absorption in the p-contacting layer increased the light extraction efficiency with a reflective metal electrode. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / 深紫外発光ダイオード / p-AlGaNコンタクト層 / / / / / |
| （英） | AlGaN / DUV LED / p-AlGaN contacting layer / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-117, pp. 77-80, 2014年11月. | |
| 資料番号 | LQE2014-117 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deep UV light-emitting diodes containing a p-AlGaN contacting layer with high Al content |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 深紫外発光ダイオード / DUV LED |
| キーワード(3)（和/英） | p-AlGaNコンタクト層 / p-AlGaN contacting layer |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 定 昌史 / Masafumi Jo / ジョウ マサフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 哲利 / Noritoshi Maeda / マエダ ノリトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-28 11:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2014-89, CPM2014-146, LQE2014-117 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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