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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-28 16:00
GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果
岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・宮川鈴衣奈江龍 修名工大)・橋詰 保北大ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
抄録 (和) 極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立基板に対して800 oCから1100 oCまで温度を変化させてサーマルクリーニングを行い,表面状態の変化を明らかにした.(0001)面において,表面の研磨傷はサーマルクリーニングの温度上昇に伴って減少し,1000 oCにおいて研磨傷が消失しステップ構造を有する表面が得られた.しかし1100 oCでは表面の脱離が生じ大きな表面荒れを生じた.一方,非極性面については面方位によってサーマルクリーニング後の表面状態は大きく異なり,(20-21)面では温度上昇に伴い表面平坦性が大きく悪化した. 
(英) Thermal cleaning at high temperature from 800 oC to 1100 oC of free-standing polar (0001) plane and non-polar (10-10) (20-21) (20-2-1) plane GaN substrates was demonstrated, and the change of surface morphologies were shown. In the case of polar (0001) plane, polishing scratches on the surface decreased with increased thermal cleaning temperature, and atomic step was appeared at 1000 oC. At 1100 oC, desorption of surface occurred and surface morphologies became rough. In the case of non-polar GaN substrates, surface morphologies after thermal cleaning were markedly different based on orientation of surface. Surface roughness of (20-21) plane GaN drastically deteriorated with increasing thermal cleaning temperature.
キーワード (和) GaN / サーマルクリーニング / 自立基板 / / / / /  
(英) GaN / thermal cleaning / free-standing substrate / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-124, pp. 111-115, 2014年11月.
資料番号 LQE2014-124 
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2014-11-27 - 2014-11-28 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2014-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of thermal cleaning on surface of bulk GaN substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) サーマルクリーニング / thermal cleaning  
キーワード(3)(和/英) 自立基板 / free-standing substrate  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 俊祐 / Shunsuke Okada / オカダ シュンスケ
第1著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト
第2著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ
第3著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮川 鈴衣奈 / Reina Miyagawa / ミヤガワ レイナ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 江龍 修 / Osamu Eryu / エリュウ オサム
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume /
第6著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2014-11-28 16:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2014-96,IEICE-CPM2014-153,IEICE-LQE2014-124 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) 
ページ範囲 pp.111-115 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2014-11-20,IEICE-CPM-2014-11-20,IEICE-LQE-2014-11-20 


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