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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-28 16:25
スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製
野間友博林 宏暁福島大史今野裕太野村一郎岸野克巳上智大ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125
抄録 (和) 紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した.Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた.TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作製に成功した.このナノコラムにInGaN多重量子井戸を発光層として搭載し,可視域の広い範囲に渡る単峰性のPLスペクトルを得るとともに,パターニングによりPLピーク波長が制御できることを示した. 
(英) Nitride has an attractive feature of bandgap engineering from ultraviolet to infrared. However, a lot of defects in nitride inhibit the feature. In this study, we demonstrated nitride nanocolumn on Si wafer that is expected realization of large-scale/low-cost devices. Furthermore, nanocolumn structure is expected to suppress propagation of dislocation. We employed a sputter-deposited AlN nucleation layer, because it is so difficult to grow nitride crystal on Si wafer. We successfully fabricated a single crystalline GaN nanocolumns array even on the sputter-deposited film containing high-density dislocations. Single-peak PL emission in wide visible range from integrated InGaN/GaN MQW, and control of PL peak wavelength by pre-patterning were also demonstrated.
キーワード (和) スパッタAlN / シリコンウェハ / ナノコラム / / / / /  
(英) Nanocolumn / Si wafer / Sputter-deposited AlN / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-125, pp. 117-120, 2014年11月.
資料番号 LQE2014-125 
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2014-11-27 - 2014-11-28 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2014-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of single crystalline p-i-n nanocolumns array on a sputter-deposited thin film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スパッタAlN / Nanocolumn  
キーワード(2)(和/英) シリコンウェハ / Si wafer  
キーワード(3)(和/英) ナノコラム / Sputter-deposited AlN  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野間 友博 / Tomohiro Noma / ノマ トモヒロ
第1著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 宏暁 / Hiroaki Hayashi / ハヤシ ヒロアキ
第2著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 大史 / Daishi Fukushima / フクシマ ダイシ
第3著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 今野 裕太 / Yuta Konno / コンノ ユウタ
第4著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 野村 一郎 / Ichiro Nomura / ノムラ イチロウ
第5著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ
第6著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-11-28 16:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2014-97, CPM2014-154, LQE2014-125 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) 
ページ範囲 pp.117-120 
ページ数
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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