講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-28 16:25
スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 ○野間友博・林 宏暁・福島大史・今野裕太・野村一郎・岸野克巳(上智大) ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 |
抄録 |
(和) |
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその特長が制限されている.本研究では欠陥低減を特長とする窒化物ナノコラムを,大面積/低コスト化が望めるSiウェハへ作製した.Siウェハでは窒化物成長が困難であるため,スパッタ成膜したAlNを核形成層として用いた.TEM評価と,市販GaN基板に対して5.6倍強いPL発光強度を示したことより,無数の転位を含んだスパッタ膜上であってもナノコラム成長法によって高い結晶性の単結晶作製に成功した.このナノコラムにInGaN多重量子井戸を発光層として搭載し,可視域の広い範囲に渡る単峰性のPLスペクトルを得るとともに,パターニングによりPLピーク波長が制御できることを示した. |
(英) |
Nitride has an attractive feature of bandgap engineering from ultraviolet to infrared. However, a lot of defects in nitride inhibit the feature. In this study, we demonstrated nitride nanocolumn on Si wafer that is expected realization of large-scale/low-cost devices. Furthermore, nanocolumn structure is expected to suppress propagation of dislocation. We employed a sputter-deposited AlN nucleation layer, because it is so difficult to grow nitride crystal on Si wafer. We successfully fabricated a single crystalline GaN nanocolumns array even on the sputter-deposited film containing high-density dislocations. Single-peak PL emission in wide visible range from integrated InGaN/GaN MQW, and control of PL peak wavelength by pre-patterning were also demonstrated. |
キーワード |
(和) |
スパッタAlN / シリコンウェハ / ナノコラム / / / / / |
(英) |
Nanocolumn / Si wafer / Sputter-deposited AlN / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-125, pp. 117-120, 2014年11月. |
資料番号 |
LQE2014-125 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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