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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-28 15:10
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
抄録 (和) InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これまでに我々は短絡電流の井戸数依存性は光誘起キャリアが再結合するまでに移動できる距離(“特性長”)により特徴づけられるキャリア輸送特性を仮定することで説明できることを見出した。今回、さらにいくつかのMQW構造について特性長を調べ、そのバリア層厚および井戸層厚に対する依存性を求めた結果、特性長のMQW構造依存性はバリア層厚よりも井戸層厚に対してより強く依存性を示すことが明らかになった。また、MQW構造が特性長に与える影響を考察し、MQW構造の吸収過程を考慮することで、短絡電流を最大とする最適なMQW構造を決定しうることを見出した。 
(英) We have investigated InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) solar cells in terms of the relationship between the short-circuit current and the MQW structure. We previously reported that the short-circuit current dependence on the number of well can be well explained by the hypothesis that the transport characteristics of photoinduced carriers are characterized by the “specific length” within which carriers photoinduced in the InGaN well layer can move before recombination. In this report, we estimated the specific length of several MQW structures and the specific length depends on the thickness of well layer more strongly than on that of barrier layer. We also investigate the relationship between the specific length and the MQW structure. The optimum MQW structure for yielding higher short-circuit current can be determined using the specific length and the absorption process in the MQW structure.
キーワード (和) 太陽電池 / InGaN/GaN MQW / 短絡電流 / キャリア輸送過程 / / / /  
(英) solar cell / InGaN/GaN MQW / short-circuit current / carrier transport / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 336, ED2014-94, pp. 103-106, 2014年11月.
資料番号 ED2014-94 
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2014-11-27 - 2014-11-28 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation on the maximization of short-circuit current in InGaN/GaN MQW solar cells 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 太陽電池 / solar cell  
キーワード(2)(和/英) InGaN/GaN MQW / InGaN/GaN MQW  
キーワード(3)(和/英) 短絡電流 / short-circuit current  
キーワード(4)(和/英) キャリア輸送過程 / carrier transport  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe / ワタナベ ノリユキ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 満原 学 / Manabu Mitsuhara / ミツハラ マナブ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 梁 剣波 / Jianbo Liang /
第4著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル
第5著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-11-28 15:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-94, CPM2014-151, LQE2014-122 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) 
ページ範囲 pp.103-106 
ページ数
発行日 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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