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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-26 11:35
65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価
曽根崎詠二張 魁元古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2014-84 DC2014-38
抄録 (和) 近年、プロセスの微細化や高集積化により消費電力の増加が問題になっている。
低消費電力の実現には、低電圧化が最も効果的であるが、同時に信頼性の低下を
引き起こす。本稿では、デバイスシミュレーションを用いてソフトエラーの原因
の一つである放射線起因一過性パルス (Single Event Transient) のパルス幅の
電圧依存性をについて評価した。 
(英) Recently, the growth of power consumption has been serious by process
scaling. The lower voltage is most effective to implement reduced energy
consumption. But, the lower voltage causes a decrease in reliability.In
this study, we evaluate voltage dependence of SET (Single Event
Transien) pulses by device simulation.
キーワード (和) ソフトエラー / SOTB / SET / 65nmプロセス / デバイスシミュレーション / / /  
(英) Softerror / SOTB / SET / 65nmprocess / Device simulation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 328, VLD2014-84, pp. 93-97, 2014年11月.
資料番号 VLD2014-84 
発行日 2014-11-19 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2014-84 DC2014-38

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2014-11-26 - 2014-11-28 
開催地(和) ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) 
開催地(英) B-ConPlaza 
テーマ(和) デザインガイア2014 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2014 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2014-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Voltage Dependence of Single Event Transient Pulses on 65nm Silicon-on-Thin-BOX and Bulk Processes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソフトエラー / Softerror  
キーワード(2)(和/英) SOTB / SOTB  
キーワード(3)(和/英) SET / SET  
キーワード(4)(和/英) 65nmプロセス / 65nmprocess  
キーワード(5)(和/英) デバイスシミュレーション / Device simulation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 曽根崎 詠二 / Eiji Sonezaki / ソネザキ エイジ
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 魁元 / Kuiyuan Zhang /
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 潤 / Jun Furuta / フルタ ジュン
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第4著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2014-11-26 11:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2014-84,IEICE-DC2014-38 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.328(VLD), no.329(DC) 
ページ範囲 pp.93-97 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-VLD-2014-11-19,IEICE-DC-2014-11-19 


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