講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-26 10:05
リコンフィギャラブルアーキテクチャのためのバックゲートバイアス印加時間解析 ○奥原 颯・天野英晴(慶大) RECONF2014-36 |
抄録 |
(和) |
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)により開発された、超薄buried oxide (Thin BOX)を用いた完全空乏型SOI、Silicon on thin BOX(SOTB) MOSFETを用いて、バックゲートバイアスをオフチップで印加する際の時間的オーバーヘッドを実験により明らかにした。測定に使用したチップは我々が開発したアクセラレータCool Mega Array (CMA)及び、マイコンコアV850E-Starである。我々の行った測定により、CMAのバックゲートバイアスの印加に要する時間は最大で183.0µsであることが分かった。また、V850E-Starでは最大で270.2µsの時間を要する。これらの時間を想定して、バックゲートバイアスを適応的に変化させることで、リコンフィギャラブルにプロセッサの周波数向上やリーク電流削減を行う事が出来る。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
動的バックゲートバイアス制御 / 低電力設計 / / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 331, RECONF2014-36, pp. 13-18, 2014年11月. |
資料番号 |
RECONF2014-36 |
発行日 |
2014-11-19 (RECONF) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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RECONF2014-36 |