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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-26 10:05
リコンフィギャラブルアーキテクチャのためのバックゲートバイアス印加時間解析
奥原 颯天野英晴慶大RECONF2014-36
抄録 (和) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)により開発された、超薄buried oxide (Thin BOX)を用いた完全空乏型SOI、Silicon on thin BOX(SOTB) MOSFETを用いて、バックゲートバイアスをオフチップで印加する際の時間的オーバーヘッドを実験により明らかにした。測定に使用したチップは我々が開発したアクセラレータCool Mega Array (CMA)及び、マイコンコアV850E-Starである。我々の行った測定により、CMAのバックゲートバイアスの印加に要する時間は最大で183.0µsであることが分かった。また、V850E-Starでは最大で270.2µsの時間を要する。これらの時間を想定して、バックゲートバイアスを適応的に変化させることで、リコンフィギャラブルにプロセッサの周波数向上やリーク電流削減を行う事が出来る。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) 動的バックゲートバイアス制御 / 低電力設計 / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 331, RECONF2014-36, pp. 13-18, 2014年11月.
資料番号 RECONF2014-36 
発行日 2014-11-19 (RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード RECONF2014-36

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2014-11-26 - 2014-11-28 
開催地(和) ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) 
開催地(英) B-ConPlaza 
テーマ(和) デザインガイア2014 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2014 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 RECONF 
会議コード 2014-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) リコンフィギャラブルアーキテクチャのためのバックゲートバイアス印加時間解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Time Analysis of Appling Back Gate Bias for Reconfigurable Architectures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 動的バックゲートバイアス制御 /  
キーワード(2)(和/英) 低電力設計 /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥原 颯 / Hayate Okuhara / オクハラ ハヤテ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 英晴 / Hideharu Amano /
第2著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者
発表日時 2014-11-26 10:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 RECONF 
資料番号 IEICE-RECONF2014-36 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.331 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-RECONF-2014-11-19 


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