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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-26 16:15
DTMOSを用いたサブスレッショルド回路の高速化設計
福留祐治史 又華戸川 望早大)・宇佐美公良芝浦工大)・柳澤政生早大VLD2014-88 DC2014-42
抄録 (和) サブスレッショルド領域で回路を動作させることで低電力化は実現されるが,同時に速度が劣化するトレードオフの関係にある.
本稿ではサブスレッショルド領域において低電力で高速化を実現するため,DTMOSを用いたサブスレッショルド回路の高速化設計を行い,トランジスタレベルのシミュレーションの結果,30~45%高速化し,$V_{dd}=0.2V,0.3V$において平均15%低エネルギー化したことを示す. 
(英) Low power consumption is achieved by operating circuits in sub-threshold region.
However, in sub-threshold region, the operating speed becomes slow, and the tradeoff between power and speed should be considered carefully.
In this work, we present DTMOS implementations to realize high speed and low power in subthreshold region.
Transistor level simulation results show that the operating speed can be improved by 30%-45%, and on average 15% energy reduction can be achieved when $V_{dd}$ ranges 0.2-0.3V.
キーワード (和) DTMOS / サブスレッショルド回路 / / / / / /  
(英) dynamic threshold MOS / sub-threshold circuit / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 328, VLD2014-88, pp. 117-121, 2014年11月.
資料番号 VLD2014-88 
発行日 2014-11-19 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2014-88 DC2014-42

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2014-11-26 - 2014-11-28 
開催地(和) ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) 
開催地(英) B-ConPlaza 
テーマ(和) デザインガイア2014 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2014 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2014-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) DTMOSを用いたサブスレッショルド回路の高速化設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High speed design of sub-threshold circuit by using DTMOS 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) DTMOS / dynamic threshold MOS  
キーワード(2)(和/英) サブスレッショルド回路 / sub-threshold circuit  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福留 祐治 / Yuji Fukudome / フクドメ ユウジ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 史 又華 / Youhua Shi / シ ヨウカ
第2著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 戸川 望 / Nozomu Togawa / トガワ ノゾム
第3著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第4著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳澤 政生 / Masao Yanagisawa / ヤナギサワ マサオ
第5著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者
発表日時 2014-11-26 16:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2014-88,IEICE-DC2014-42 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.328(VLD), no.329(DC) 
ページ範囲 pp.117-121 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-VLD-2014-11-19,IEICE-DC-2014-11-19 


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