講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-18 10:00
GaN FETを用いた6.78MHz ZVS D級直流共鳴ワイヤレス給電 ○細谷達也(村田製作所) WPT2014-50 |
抄録 |
(和) |
GaN FETを用いた6.78MHz ZVS D級直流共鳴ワイヤレス給電を提案する.直流共鳴方式は,直流から電磁界共鳴を起こすエネルギー変換システムであり,電磁界の相互作用による電磁界共鳴フィールドを用いる.高周波パワーエレクトロニクスにおけるスイッチング素子の評価指標を提案し,GaN FETの性能をSi FETと比較して評価する.エネルギー変換回路動作を解析するために周期状態区分法を提案し,共鳴結合の統一的解析法によりシステム特性を明らかにする.また,GaN FET特有の第3象限動作による電力損失を低減するため,新たにデッドタイム調整による最適ZVS動作技術を開発している.実験では,これまでにない圧倒的に高いDC-DC電力効率89.5%,出力22.4Wを達成している. |
(英) |
A novel ZVS class-D direct-current-resonance wireless power transfer with GaN FETs operated in 6.78MHz is proposed. A direct-current resonance system is an energy conversion system, which makes the electromagnetic resonance field from a direct current and uses a resonance field with an electromagnetic interaction. A new technique called the periodic state dividing method is proposed in order to analyze energy conversion operation. We clarify the system characteristics by use of the proposed unified analysis method for the resonance coupling. In order to reduce the power loss in the 3rd quadrant operation peculiar to GaN FET, the optimum ZVS operation technology with dead time adjustment technique is newly developed. In the experiment, the unprecedented, overwhelmingly high DC-DC power efficiency 89.5% and the output 22.4W are attained. |
キーワード |
(和) |
直流共鳴 / D級 / GaN FET / 共鳴フィールド / ゼロ電圧スイッチング / ワイヤレス給電電源 / / |
(英) |
Direct-current-resonance / class-D / GaN FET / Resonance field / Zero voltage switching / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 310, WPT2014-50, pp. 1-6, 2014年11月. |
資料番号 |
WPT2014-50 |
発行日 |
2014-11-11 (WPT) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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WPT2014-50 |