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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-18 10:00
GaN FETを用いた6.78MHz ZVS D級直流共鳴ワイヤレス給電
細谷達也村田製作所
抄録 (和) GaN FETを用いた6.78MHz ZVS D級直流共鳴ワイヤレス給電を提案する.直流共鳴方式は,直流から電磁界共鳴を起こすエネルギー変換システムであり,電磁界の相互作用による電磁界共鳴フィールドを用いる.高周波パワーエレクトロニクスにおけるスイッチング素子の評価指標を提案し,GaN FETの性能をSi FETと比較して評価する.エネルギー変換回路動作を解析するために周期状態区分法を提案し,共鳴結合の統一的解析法によりシステム特性を明らかにする.また,GaN FET特有の第3象限動作による電力損失を低減するため,新たにデッドタイム調整による最適ZVS動作技術を開発している.実験では,これまでにない圧倒的に高いDC-DC電力効率89.5%,出力22.4Wを達成している. 
(英) A novel ZVS class-D direct-current-resonance wireless power transfer with GaN FETs operated in 6.78MHz is proposed. A direct-current resonance system is an energy conversion system, which makes the electromagnetic resonance field from a direct current and uses a resonance field with an electromagnetic interaction. A new technique called the periodic state dividing method is proposed in order to analyze energy conversion operation. We clarify the system characteristics by use of the proposed unified analysis method for the resonance coupling. In order to reduce the power loss in the 3rd quadrant operation peculiar to GaN FET, the optimum ZVS operation technology with dead time adjustment technique is newly developed. In the experiment, the unprecedented, overwhelmingly high DC-DC power efficiency 89.5% and the output 22.4W are attained.
キーワード (和) 直流共鳴 / D級 / GaN FET / 共鳴フィールド / ゼロ電圧スイッチング / ワイヤレス給電電源 / /  
(英) Direct-current-resonance / class-D / GaN FET / Resonance field / Zero voltage switching / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 310, WPT2014-50, pp. 1-6, 2014年11月.
資料番号 WPT2014-50 
発行日 2014-11-11 (WPT) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 EE WPT  
開催期間 2014-11-18 - 2014-11-19 
開催地(和) 同志社大学 
開催地(英) Doshisha University 
テーマ(和) エネルギー技術,ワイヤレス給電関連,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 WPT 
会議コード 2014-11-EE-WPT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN FETを用いた6.78MHz ZVS D級直流共鳴ワイヤレス給電 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Novel ZVS Class-D Direct-Current-Resonance Wireless Power Transfer with GaN FETs Operated in 6.78MHz 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 直流共鳴 / Direct-current-resonance  
キーワード(2)(和/英) D級 / class-D  
キーワード(3)(和/英) GaN FET / GaN FET  
キーワード(4)(和/英) 共鳴フィールド / Resonance field  
キーワード(5)(和/英) ゼロ電圧スイッチング / Zero voltage switching  
キーワード(6)(和/英) ワイヤレス給電電源 /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 細谷 達也 / Tatsuya Hosotani / ホソタニ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 株式会社村田製作所 (略称: 村田製作所)
Murata Manufacturing Co. Ltd. (略称: Murata Manufacturing)
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講演者
発表日時 2014-11-18 10:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 WPT 
資料番号 IEICE-WPT2014-50 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.310 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-WPT-2014-11-11 


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