お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-07 11:15
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭石田良馬神戸大)・鎌倉良成森 伸也阪大)・宇野重康立命館大)・小川真人神戸大SDM2014-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-105
抄録 (和) 本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的極限にまで微細化されたSi MOSFETのデバイス特性を議論する。特に、チャネル長が10 nm以下になると、チャネルの薄層化によってチャネル膜厚ゆらぎ散乱が増大し、MOSFETのバリスティック効率、すなわちオン電流が急激に低下することを明らかにする。また、準バリスティック輸送係数のゲート及びドレイン電圧依存性についても検討を行う。 
(英) Recently, we have developed a Monte Carlo simulator for accurately extracting quasi-ballistic transport parameters in MOSFETs. In this paper, using the Monte Carlo simulator we discuss the device performance of Si double-gate MOSFETs scaled down to a sub-10 nm channel length. It is found that ballistic transport in double-gate MOSFETs is degraded when the channel length decreases to less than 10 nm, owing to surface roughness scattering intensified by channel thickness fluctuation along the transport direction. The gate and drain bias voltage dependencies of ballistic efficiency are also discussed.
キーワード (和) 準バリスティック輸送 / モンテカルロ法 / 極薄チャネル構造 / チャネル膜厚ゆらぎ / / / /  
(英) Quasi-Ballistic Transport / Monte Carlo Method / Ultrathin Body Structure / Channel Thickness Fluctuation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 291, SDM2014-105, pp. 53-58, 2014年11月.
資料番号 SDM2014-105 
発行日 2014-10-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-105

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-11-06 - 2014-11-07 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Extracted Using Monte Carlo Method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 準バリスティック輸送 / Quasi-Ballistic Transport  
キーワード(2)(和/英) モンテカルロ法 / Monte Carlo Method  
キーワード(3)(和/英) 極薄チャネル構造 / Ultrathin Body Structure  
キーワード(4)(和/英) チャネル膜厚ゆらぎ / Channel Thickness Fluctuation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya / ツチヤ ヒデアキ
第1著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 良馬 / Ryoma Ishida / イシダ リョウマ
第2著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨリナリ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇野 重康 / Shigeyasu Uno / ウノ シゲヤス
第5著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Risutmeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 真人 / Matsuto Ogawa / オガワ マツト
第6著者 所属(和/英) 神戸大学 (略称: 神戸大)
Kobe University (略称: Kobe Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2014-11-07 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-105 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.53-58 
ページ数
発行日 2014-10-30 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会