講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-06 11:20
SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ~ 双対性による逆方向電流のモデル化 ~ ○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治(パナソニック) SDM2014-99 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-99 |
抄録 |
(和) |
SiC MOSFETの電流・電圧(Ids-Vds)特性を再現し、スイッチング回路での特性評価を可能とするSPICEモデルの新たな構築手法について報告する。本手法では、順・逆方向特性の双対性に着目し、Ids-Vds特性のドレイン・ソース間電圧(Vds) 依存性を導出することで、簡易かつ高精度なSPICEモデルを構築した。 |
(英) |
This paper presents a novel methodology to design a compact but precise SPICE model which reproduces complete current-voltage (Ids-Vds) characteristics of Silicon Carbide (SiC) power devices. The methodology is based on duality relation between one function for the forward I-V characteristics and its inverse function for the reverse I-V characteristics. |
キーワード |
(和) |
SiC MOSFET / SPICE model / ボディーダイオード / 逆方向電流・電圧特性 / / / / |
(英) |
SiC MOSFET / SPICE model / body diode / reverse current-voltage characteristics / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 291, SDM2014-99, pp. 19-24, 2014年11月. |
資料番号 |
SDM2014-99 |
発行日 |
2014-10-30 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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