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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-06 10:55
モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
岡本 稔清水 守大倉康幸山口 憲小池秀耀アドバンスソフトSDM2014-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-98
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) パワーデバイス / TCAD / 3次元計算 / イオン注入 / 4H-SiC基板 / 6H-SiC基板 / 並列計算 /  
(英) Power Device / TCAD / 3D calculation / Ion implantation / 4H-SiC / 6H-SiC / Parallel calculation /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 291, SDM2014-98, pp. 13-18, 2014年11月.
資料番号 SDM2014-98 
発行日 2014-10-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-98 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-98

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-11-06 - 2014-11-07 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Three-dimensional calculation of ion implantation to SiC substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーデバイス / Power Device  
キーワード(2)(和/英) TCAD / TCAD  
キーワード(3)(和/英) 3次元計算 / 3D calculation  
キーワード(4)(和/英) イオン注入 / Ion implantation  
キーワード(5)(和/英) 4H-SiC基板 / 4H-SiC  
キーワード(6)(和/英) 6H-SiC基板 / 6H-SiC  
キーワード(7)(和/英) 並列計算 / Parallel calculation  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 稔 / Minoru Okamoto / オカモト ミノル
第1著者 所属(和/英) アドバンスソフト株式会社 (略称: アドバンスソフト)
AdvanceSoft Corporation (略称: AdvanceSoft)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 守 / Mamoru Shimizu / シミズ マモル
第2著者 所属(和/英) アドバンスソフト株式会社 (略称: アドバンスソフト)
AdvanceSoft Corporation (略称: AdvanceSoft)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大倉 康幸 / Yasuyuki Ohkura / オオクラ ヤスユキ
第3著者 所属(和/英) アドバンスソフト株式会社 (略称: アドバンスソフト)
AdvanceSoft Corporation (略称: AdvanceSoft)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 憲 / Ken Yamaguchi / ヤマグチ ケン
第4著者 所属(和/英) アドバンスソフト株式会社 (略称: アドバンスソフト)
AdvanceSoft Corporation (略称: AdvanceSoft)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 秀耀 / Hideaki Koike / コイケ ヒデアキ
第5著者 所属(和/英) アドバンスソフト株式会社 (略称: アドバンスソフト)
AdvanceSoft Corporation (略称: AdvanceSoft)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-11-06 10:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-98 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数
発行日 2014-10-30 (SDM) 


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