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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-30 14:30 高Q値化した埋込ヘテロL3共振器によるフォトニック結晶全光メモリ ～ 2.3nWの超低バイアス動作と28bitモノリシック集積の実現 ～ ○倉持栄一・野崎謙悟・新家昭彦・谷山秀昭・武田浩司・佐藤具就・松尾慎治・納富雅也（NTT）  OCS2014-61 OPE2014-105 LQE2014-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2014-105 LQE2014-79 |
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| 抄録 | （和） | フォトニック結晶は全光メモリを超小型かつ超低動作パワーで実現できる技術として注目されている．今回我々は既に超低パワー動作を達成済みのInP埋込ヘテロナノ共振器に，新設計により高Ｑ値化したL3共振器を組み合わせることで，更に一桁低い2.3nWで動作させることに成功した．更にモノリシック集積した28ビットの光RAM動作に成功した． |
| （英） | Photonic crystal is a platform technology for ultra-compact and ultra-low-power all-optical memory. Here we report a photonic crystal nanocavity all-optical memory operated at 2.3-nW bias power realized by InP buried-heterostructure L3 nanocavity with novel systematic hole tuning for Q-factor enhancement. We also realized wavelength-addressable 28-bit optical RAM operation in monolithically integrated nanocavity array by the use of the same nanocavity. | |
| キーワード | （和） | フォトニック結晶 / 共振器 / 光メモリ / 全光処理 / 光集積回路 / / / |
| （英） | Photonic crystal / Cavity / Optical memory / All-optical signal processing / Photonic integrated circuit / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 283, LQE2014-79, pp. 101-105, 2014年10月. | |
| 資料番号 | LQE2014-79 | |
| 発行日 | 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2014-61 OPE2014-105 LQE2014-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2014-105 LQE2014-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS OPE LQE |
| 開催期間 | 2014-10-30 - 2014-10-31 |
| 開催地（和） | 長崎歴史文化博物館 |
| 開催地（英） | Nagasaki Museum of History and Culture |
| テーマ（和） | 超高速伝送，変復調，分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅，WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 (ECOC報告) |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-10-OCS-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高Q値化した埋込ヘテロL3共振器によるフォトニック結晶全光メモリ |
| サブタイトル（和） | 2.3nWの超低バイアス動作と28bitモノリシック集積の実現 |
| タイトル（英） | All-optical memory by buried-heterostructure high-QL3 photonic crystal nanocavity |
| サブタイトル（英） | Buried-heterostructure L3 nanocavity all-optical memory operated at2.3 nW bias power |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(2)（和/英） | 共振器 / Cavity |
| キーワード(3)（和/英） | 光メモリ / Optical memory |
| キーワード(4)（和/英） | 全光処理 / All-optical signal processing |
| キーワード(5)（和/英） | 光集積回路 / Photonic integrated circuit |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉持 栄一 / Eiichi Kuramochi / クラモチ エイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野崎 謙悟 / Kengo Nozaki / ノザキ ケンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新家 昭彦 / Akihiko Shinya / シンヤ アキヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷山 秀昭 / Hideaki Taniyama / タニヤマ ヒデアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 納富 雅也 / Masaya Notomi / ノウトミ マサヤ |
| 第8著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-30 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OCS2014-61, OPE2014-105, LQE2014-79 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.281(OCS), no.282(OPE), no.283(LQE) |
| ページ範囲 | pp.101-105 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) |
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