講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-24 14:20
光照射可能なホットウォール型化学気相成長装置の開発とカーボンナノチューブの作製 川口大貴・津田悠作・吉田圭佑・永田知子・○岩田展幸・山本 寛(日大) CPM2014-106 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2014-106 |
抄録 |
(和) |
単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube : SWNT)の850 ºC~1000 ºCでの高温成長と自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)が照射可能な、ホットウォール型化学気相成長(Hot-Wall Type Chemical Vapor Deposition : HW-CVD)装置の開発を行った.炭素源となるガスを高温の状態で基板に当てるために,メインヒーターの前にプレヒーターを取り付けた。これにより、これまでのコールドウォール型(Cold-Wall Type : CW-)CVD装置では行えなかった、 SWNTの高温成長が可能となった。またメインヒーターの中央上部に石英の照射窓を取り付けたことにより、SWNT成長中のFEL照射が可能となった。更にエタノールの容器として新たにベーパライザーを用いることにより、エタノールの気化を促進させることが可能となった。またこの装置を用いて、CW-CVD装置でのCVD条件でSiO2/Si基板上にSWNT成長を試みたが、CVD後の基板表面像からは繊維状の物質は確認できなかった。Ramanスペクトルを見てみるとG-Band、D-Band及びRadial breathing mode (RBM)を確認することが出来なかった。 |
(英) |
We report the development of Hot-wall type chemical vapor Deposition (HW-CVD) equipment by which high temperature, 850 ºC~1000 ºC, growth of single-walled carbon nanotube (SWNT) is able to be carried out with free electron laser (FEL) irradiation. Heater is separated to two zones. One of them is for decomposition of carbon source, and the other one is for growth of SWNT. A vaporizer is used to stabilize the quantity of ethanol introduction as a carbon source. Using this system, we try to SWNT growth on SiO2/Si substrate with the same condition as that of the cold-wall type (CW-) CVD equipment. However, fibrous materials are not confirmed from the substrate surface image after CVD. G-Band, D-Band, and RBM are not confirmed from the Raman spectrum. |
キーワード |
(和) |
ホットウォール型化学気相成長装置 / 単層カーボンナノチューブ / / / / / / |
(英) |
Hot-Wall Type Chemical Vapor Deposition Equipment / Single Wall Nanotube / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 276, CPM2014-106, pp. 17-20, 2014年10月. |
資料番号 |
CPM2014-106 |
発行日 |
2014-10-17 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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