講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-24 17:40
薄いSiO2層の介在するNi/Si系におけるシリサイド形成反応 ○野矢 厚・武山眞弓(北見工大) CPM2014-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2014-113 |
抄録 |
(和) |
これまでにNi/Si系において、シリサイドの相形成過程では、その反応前段階にNiとSiの混合により形成されるアモルファス合金の組成が、その後形成される相の選択に重要な要件となることを報告してきた。ここでは、Niの拡散を直接的に抑制するためにごく薄いSiO2層を介在させた系において、初期形成相の選択がどのようになるのかを実験的に検証した。その結果、Si-richな合金の形成により、通常の相形成のシーケンスによらずに、最終形成相であるNiSi2が低温で直接形成されることを確認した。これにより、従来最終形成相であるNiSi2は、その温度における相安定性に起因したNiSiからの転移によるとされていたが、相形成のkineticsによっていることが示唆された。 |
(英) |
In the Ni/Si system, we have reported that the composition of an amorphous alloy formed by intermixing between Ni and Si prior to the phase formation is important to determine which phase will be subsequently nucleated. In this study, we examine the first phase formation in the Ni/Si system with an extremely thin SiO2 layer to suppress the Ni diffusion into Si. The result indicates that NiSi2, the high-temperature end phase in the ordinarily phase formation sequence, is formed as the first phase at a low temperature. This indicates that the NiSi2 phase nucleates skipping the phase formation sequence owing to kinetic constraint. |
キーワード |
(和) |
シリサイド / NiSi2 / 固相反応 / 反応動力学 / / / / |
(英) |
silicide / NiSi2 / solid-state reaction / reaction kinetics / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 276, CPM2014-113, pp. 45-48, 2014年10月. |
資料番号 |
CPM2014-113 |
発行日 |
2014-10-17 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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