講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-22 09:25
シリコンフィールドエミッタの光照射効果 ○嶋脇秀隆(八戸工大)・長尾昌善(産総研)・根尾陽一郎・三村秀典(静岡大)・若家冨士男・高井幹夫(阪大) ED2014-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-69 |
抄録 |
(和) |
微小電子源から光支援による高周波変調バンチビームを発生させることを目的として、極微ゲート孔構造Si-FEAからの電子放射における光の偏光や入射パワー等の光照射効果および応答性を評価した。Si-FEAからのエミッション電流は、入射光パワーに対して線形性を示すが、エミッションにおける偏光依存性は観測されなかった。光パルスに対するエミッションの応答性は、約200nsの立ち上がり・立ち下がり時間を確認した。FEAにおいて、ゲート孔サイズを波長オーダーまで縮小することにより拡散電子の生成が抑制され、応答性が向上することを確認した。 |
(英) |
The field emission properties of silicon field emitter arrays with submicron gate aperture have been investigated under irradiation of laser light pulses with the wavelengths of 405 nm. The increase of the emission current under light illumination is proportional to the emission current in the dark. The significant influence of the polarization in photoassisted emission for each wavelength was not observed. The rise time of the photoresponse in the Si-FEA is at least on nanosecond scale. This indicates that the gated field emitter structure designed with gate aperture less than a half micrometer blocks effectively excitation of diffusion electrons outside the depletion region which causes slow response. |
キーワード |
(和) |
レーザ支援電子放射 / 変調電子ビーム / Si-FEA / / / / / |
(英) |
photoassisted electron emission / modulated electron beam / Si-FEA / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 262, ED2014-69, pp. 35-38, 2014年10月. |
資料番号 |
ED2014-69 |
発行日 |
2014-10-14 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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