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講演抄録/キーワード
講演名 2014-10-22 09:25
シリコンフィールドエミッタの光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2014-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-69
抄録 (和) 微小電子源から光支援による高周波変調バンチビームを発生させることを目的として、極微ゲート孔構造Si-FEAからの電子放射における光の偏光や入射パワー等の光照射効果および応答性を評価した。Si-FEAからのエミッション電流は、入射光パワーに対して線形性を示すが、エミッションにおける偏光依存性は観測されなかった。光パルスに対するエミッションの応答性は、約200nsの立ち上がり・立ち下がり時間を確認した。FEAにおいて、ゲート孔サイズを波長オーダーまで縮小することにより拡散電子の生成が抑制され、応答性が向上することを確認した。 
(英) The field emission properties of silicon field emitter arrays with submicron gate aperture have been investigated under irradiation of laser light pulses with the wavelengths of 405 nm. The increase of the emission current under light illumination is proportional to the emission current in the dark. The significant influence of the polarization in photoassisted emission for each wavelength was not observed. The rise time of the photoresponse in the Si-FEA is at least on nanosecond scale. This indicates that the gated field emitter structure designed with gate aperture less than a half micrometer blocks effectively excitation of diffusion electrons outside the depletion region which causes slow response.
キーワード (和) レーザ支援電子放射 / 変調電子ビーム / Si-FEA / / / / /  
(英) photoassisted electron emission / modulated electron beam / Si-FEA / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 262, ED2014-69, pp. 35-38, 2014年10月.
資料番号 ED2014-69 
発行日 2014-10-14 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-69

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2014-10-21 - 2014-10-22 
開催地(和) 北大エンレイソウ 
開催地(英) Hokkaido Univ. (Faculty House Trillium) 
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英) Electron Tube, Vacuum Nanoelectronics, and Their Characterization Techniques 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコンフィールドエミッタの光照射効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Laser irradiation on Electron Emission from Silicon Field Emitter Arrays 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) レーザ支援電子放射 / photoassisted electron emission  
キーワード(2)(和/英) 変調電子ビーム / modulated electron beam  
キーワード(3)(和/英) Si-FEA / Si-FEA  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ
第1著者 所属(和/英) 八戸工業大学 (略称: 八戸工大)
Hachinohe Institute of Technology (略称: Hachinohe Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 若家 冨士男 / Fujio Wakaya / ワカヤ フジオ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高井 幹夫 / Mikio Takai /
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-10-22 09:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-69 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.262 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数
発行日 2014-10-14 (ED) 


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