講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-17 10:40
角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明 ○笹子知弥・山堀俊太・野平博司(東京都市大) SDM2014-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-90 |
抄録 |
(和) |
我々は、角度分解X線光電子分光法を用いて、乾燥酸素中800℃~850℃で酸化したときの4H-SiC、C面の初期酸化過程を調べた。Si 2p光電子スペクトルの解析から、酸化速度が周期的に変化することを見出した。これは、酸化速度が結晶構造を反映して変化すること示唆している。また、C 1s光電子スペクトルの解析から、酸化膜中のC-O結合の量が、酸化膜厚約0.85nmのとき、最小値となることを見出した。 |
(英) |
We have investigated the initial stage of oxidation on C-face 4H-SiC using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy. The sample was oxidized at 800°C or 850°C in dry oxygen. We investigated the oxide thickness and the change in chemical bonding state at SiO2/SiC interface. Analyses of Si 2p photoelectron spectra show that the oxidation rate changes periodically. This imply that the oxidation rate changes reflecting the crystal structure. Analyses of C 1s photoelectron spectra show that the amount of C-O in oxide becomes the minimum at the oxide thickness of about 0.85 nm. |
キーワード |
(和) |
4H-SiC C面 / 角度分解X線光電子分光法 / 初期酸化過程 / / / / / |
(英) |
4H-SiC C-face / Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy / Initial Stage of Oxidation / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-90, pp. 35-39, 2014年10月. |
資料番号 |
SDM2014-90 |
発行日 |
2014-10-09 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2014-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-90 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2014-10-16 - 2014-10-17 |
開催地(和) |
東北大学未来研 |
開催地(英) |
Niche, Tohoku Univ. |
テーマ(和) |
プロセス科学と新プロセス技術 |
テーマ(英) |
Process Science and New Process Technology |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2014-10-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Initial stage of oxidation on 4H-SiC by AR-XPS using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
4H-SiC C面 / 4H-SiC C-face |
キーワード(2)(和/英) |
角度分解X線光電子分光法 / Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy |
キーワード(3)(和/英) |
初期酸化過程 / Initial Stage of Oxidation |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
笹子 知弥 / Tomoya Sasago / ササゴ トモヤ |
第1著者 所属(和/英) |
東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山堀 俊太 / Shunta Yamahori / ヤマホリ シュンタ |
第2著者 所属(和/英) |
東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ |
第3著者 所属(和/英) |
東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2014-10-17 10:40:00 |
発表時間 |
30分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2014-90 |
巻番号(vol) |
vol.114 |
号番号(no) |
no.255 |
ページ範囲 |
pp.35-39 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2014-10-09 (SDM) |