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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-02 16:15 メモリセル電位を適応的に降圧して書き込み動作範囲を低電圧化した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発 ○小林伸彰（長岡技科大）・伊藤隆祐・榎本忠儀（中大）  VLD2014-66 ICD2014-59 IE2014-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-59 |
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| 抄録 | （和） | 低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMを開発した。本SRAM実現のため、メモリセルへの供給電圧を書き込み時とデータ保持時に降圧し、読み出し時に昇圧する電圧レベル変換 (Self-controllable Voltage Level；SVL) 回路、ワード線への供給電圧を書き込み時に昇圧し、読み出し時に降圧するSVL回路を開発し、2-kbit 90-nm CMOS SRAMに適用した。閾値電圧のばらつき幅が+6σの時、データ書き込みを可能とする電源電圧 (VDD) の最小値は、従来形SRAMが0.37 Vであったのに対して、改良形SRAMは0.22 Vまで引き下げることができた。これより、SVL回路が低電圧データ書き込みに極めて有効であることがわかった。なお、SVL回路の面積オーバーヘッドは従来形SRAMの1.383 %であった。 |
| （英） | We developed and applied a new circuit, called the “Self-controllable Voltage Level (SVL)” circuit, not only to expand both “write” and “read” stabilities, but also to achieve a low standby power dissipation (PST) and a high static-noise margin in a single power supply, 90-nm, 2-kbit, six-transistor CMOS SRAM. The SVL circuit can adaptively lower and higher a word-line voltage for “read” and “write” operations, respectively. It can also adaptively lower and higher a memory cell supply voltage for “write” and “hold” operations, and the “read” operation, respectively. At the threshold voltage fluctuation of +6σ, a minimum supply voltage (VDD) for the “write” operation of the conventional SRAM was 0.37 V, while on the other hand, the minimum VDD for the “write” operation of the newly developed SRAM was 0.22V. This result showed that the SVL circuit could greatly expand the VDD range for the “write” operation. A Si area overhead of the SVL circuit is only 1.383 % of the conventional SRAM. | |
| キーワード | （和） | CMOS / SRAM / 書き込み動作 / 低電圧化 / 電圧レベル変換回路 / 面積オーバーヘッド / / |
| （英） | CMOS / SRAM / “write” operation / low supply voltage / SVL circuit / area overhead / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 232, ICD2014-59, pp. 33-38, 2014年10月. | |
| 資料番号 | ICD2014-59 | |
| 発行日 | 2014-09-25 (VLD, ICD, IE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2014-66 ICD2014-59 IE2014-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | IE ICD VLD IPSJ-SLDM |
| 開催期間 | 2014-10-02 - 2014-10-03 |
| 開催地（和） | 東北大学 さくらホール |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | システムLSIの応用とその要素技術，専用プロセッサ，プロセッサ，DSP，画像処理技術，および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-10-IE-ICD-VLD-SLDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | メモリセル電位を適応的に降圧して書き込み動作範囲を低電圧化した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low Supply Voltage Six-Transistor CMOS SRAM Employing Adaptively Lowering Memory Cell Supply Voltage for "Write" Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 書き込み動作 / “write” operation |
| キーワード(4)（和/英） | 低電圧化 / low supply voltage |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧レベル変換回路 / SVL circuit |
| キーワード(6)（和/英） | 面積オーバーヘッド / area overhead |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 伸彰 / Nobuaki Kobayashi / コバヤシ ノブアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 隆祐 / Ryusuke Ito / イトウ リュウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榎本 忠儀 / Tadayoshi Enomoto / エノモト タダヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-02 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | VLD2014-66, ICD2014-59, IE2014-45 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.231(VLD), no.232(ICD), no.233(IE) |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-09-25 (VLD, ICD, IE) |
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