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| 講演名 | 2014-08-21 16:00 ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大）  R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
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| 抄録 | （和） | シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作製したSi基板上の1.3 um InAs/GaAs量子ドットレーザにおいて、InAs/GaAs量子ドットコア層にp型ドーピングを施すことにより、100ºC以上での発振動作を観測した。特性温度T0は室温近傍にて無限大、100ºC近傍にて180 Kと非常に高い値を得た。また、Si導波路構造上のInAs/GaAs量子ドットレーザの作製および100ºC以上での発振動作にも成功した。 |
| （英） | We are developing high-performance on-chip light sources utilizing semiconductor quantum dots towards the realization of silicon photonics-electronics integrated circuits. In our present work, we have observed over-100ºC lasing temperatures for 1.3 um InAs/GaAs quantum dot lasers on Si substrates fabricated by wafer bonding, by an incorporation of p-type doping in the InAs/GaAs quantum-dot core layers. The characteristics temperature T0 has been found as high as infinity and 180 K around room temperature and 100ºC, respectively. We have furthermore succeeded in the fabrication and over-100ºC operation of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si waveguide structures. | |
| キーワード | （和） | 半導体レーザ / 量子ドット / ウェハ貼り合わせ / シリコンフォトニクス / / / / |
| （英） | Semiconductor Laser / Quantum Dot / Wafer Bonding / Silicon Photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 187, LQE2014-36, pp. 51-54, 2014年8月. | |
| 資料番号 | LQE2014-36 | |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD LQE OPE CPM R |
| 開催期間 | 2014-08-21 - 2014-08-22 |
| 開催地（和） | 小樽経済センター |
| 開催地（英） | Otaru Economy Center |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-08-EMD-LQE-OPE-CPM-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and High-Temperature Operation of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Silicon by Wafer Bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor Laser |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(3)（和/英） | ウェハ貼り合わせ / Wafer Bonding |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon Photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田辺 克明 / Katsuaki Tanabe / タナベ カツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-21 16:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2014-32, EMD2014-37, CPM2014-52, OPE2014-62, LQE2014-36 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.183(R), no.184(EMD), no.185(CPM), no.186(OPE), no.187(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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