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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 09:50
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-72 ICD2014-41
抄録 (和) 65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vmin) を測定し,統計的解析を行った.Vminは正規分布ではなく,対数正規分布に従うことを実測で示した.さらに,ワーストセルのVminの振る舞いは,平均的なセルのVminやスタティックノイズマージン (SNM) とは異なることを示し,大容量SRAMセルの安定性は,ワーストセルのVminで評価しなければならないことを明らかにした. 
(英) The minimum operation voltage (Vmin) of fully depleted (FD) silicon-on-thin-BOX (SOTB) SRAM cells are measured and statistically analyzed. It is newly found that Vmin deviates from a normal distribution and follows a log-normal distribution. Furthermore, it is found that the behaviors of the worst Vmin are different from the median Vmin or static noise margin (SNM), indicating that cell stability of high density SRAM must be judged by the worst Vmin.
キーワード (和) ばらつき / 最低動作電圧 / FD SOI / / / / /  
(英) Variability / Minimum Operation Voltage / FD SOI / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-72, pp. 55-58, 2014年8月.
資料番号 SDM2014-72 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Statistical Analysis of Minimum Operation Voltage (Vmin) in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(2)(和/英) 最低動作電圧 / Minimum Operation Voltage  
キーワード(3)(和/英) FD SOI / FD SOI  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2014-08-05 09:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-72,IEICE-ICD2014-41 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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