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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 10:50
40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM
横山佳巧石井雄一郎小嶋英充宮西篤史辻橋良樹朝山 忍柴 和利田中浩二福田達哉新居浩二柳沢一正ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-74 ICD2014-43
抄録 (和) 車載マイコン向けの40nmフラッシュ混載プロセスを用いて-40~170℃という広い温度範囲で安定動作可能なSRAMマクロの設計・製造・実測を行った。我々は125℃を超える高温で動作マージンと低リークを確保するため6T SRAMセルを最適化し、SNMを40mV改善しリーク電流を1/10に削減することに成功した。高信頼性を得るための回路として、スリープモード時のラッシュカレント抑制回路とスクリーニングテスト回路を提案します。テストチップではVDD-minimumのメディアン値が0.65V(@170℃)、リーク電力値が1.86μW/Mb(@25℃)、643μW/Mb(@170℃)という結果が得られている。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) SRAM / スタンバイ / リーク / MCU / 40nm / 170°C / /  
(英) SRAM / standby / leak / MCU / 40nm / 170°C / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 175, ICD2014-43, pp. 65-70, 2014年8月.
資料番号 ICD2014-43 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 40nm ultra-low leakage SRAM at 170 deg.C operation for embedded flash MCU 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) スタンバイ / standby  
キーワード(3)(和/英) リーク / leak  
キーワード(4)(和/英) MCU / MCU  
キーワード(5)(和/英) 40nm / 40nm  
キーワード(6)(和/英) 170°C / 170°C  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 佳巧 / Yoshisato Yokoyama / ヨコヤマ ヨシサト
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小嶋 英充 / Hidemitsu Kojima / コジマ ヒデミツ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮西 篤史 / Atsushi Miyanishi / ミヤニシ アツシ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻橋 良樹 / Yoshiki Tsujihashi / ツジハシ ヨシキ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 朝山 忍 / Shinobu Asayama / アサヤマ シノブ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴 和利 / Kazutoshi Shiba / シバ カズトシ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 浩二 / Koji Tanaka / タナカ コウジ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 達哉 / Tatsuya Fukuda / フクダ タツヤ
第9著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第10著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳沢 一正 / Kazumasa Yanagisawa / ヤナギサワ カズマサ
第11著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス? (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas)
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講演者
発表日時 2014-08-05 10:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2014-74,IEICE-ICD2014-43 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.65-70 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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