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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 11:15
[招待講演]MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA
財津光一郎辰村光介松本麻里小田聖翔藤田 忍安田心一東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-75 ICD2014-44
抄録 (和) フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する.1つはMONOS型フラッシュメモリと高性能CMOSトランジスタとを近接した位置に混載する製造技術であり,もう1つは低耐圧なCMOSトランジスタの特性に影響を与えないようなフラッシュメモリの書き込み技術である.これらの技術により,高性能なCMOSトランジスタとフラッシュメモリとが細粒度に混載された,新しいタイプの不揮発FPGAを実現することが可能となる.この不揮発FPGAは,従来品に対してコンフィグレーションメモリの面積を半分に削減でき,また従来の高速製品と同等の動作速度を有する.さらに部分的な電源遮断技術(パワーゲーティング)を用いた大規模な消費電力削減が可能であるという特長がある. 
(英) Novel nonvolatile programmable switch for low-power and high-speed FPGA where MONOS flash is adjacently integrated to CMOS logic is demonstrated. The MONOS transistors and low-voltage switching transistors are fabricated close to each other without deteriorating each performance. Furthermore, memory programming scheme is optimized to realize selective writing with no damage in the switching transistors. MONOS-based configuration memory has a half area of conventional SRAM, and it can be placed in each block in FPGA. That enables efficient power gating that offers low-power FPGA operation.
キーワード (和) FPGA / MONOSフラッシュメモリ / 不揮発メモリ / 低消費電力 / / / /  
(英) FPGA / MONOS flash memory / Nonvolatile memory / Low power / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-75, pp. 71-76, 2014年8月.
資料番号 SDM2014-75 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-Power and High-Speed Nonvolatile FPGA by Adjacent Integration of MONOS/Logic and Novel Programming Scheme 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FPGA / FPGA  
キーワード(2)(和/英) MONOSフラッシュメモリ / MONOS flash memory  
キーワード(3)(和/英) 不揮発メモリ / Nonvolatile memory  
キーワード(4)(和/英) 低消費電力 / Low power  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 財津 光一郎 / Koichiro Zaitsu / ザイツ コウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 麻里 / Mari Matsumoto / マツモト マリ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 聖翔 / Masato Oda / オダ マサト
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 忍 / Shinobu Fujita / フジタ シノブ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 心一 / Shinichi Yasuda / ヤスダ シンイチ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者
発表日時 2014-08-05 11:15:00 
発表時間 50 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-75,IEICE-ICD2014-44 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.71-76 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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