講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-08-05 11:15
[招待講演]MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・藤田 忍・安田心一(東芝) SDM2014-75 ICD2014-44 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-75 ICD2014-44 |
抄録 |
(和) |
フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する.1つはMONOS型フラッシュメモリと高性能CMOSトランジスタとを近接した位置に混載する製造技術であり,もう1つは低耐圧なCMOSトランジスタの特性に影響を与えないようなフラッシュメモリの書き込み技術である.これらの技術により,高性能なCMOSトランジスタとフラッシュメモリとが細粒度に混載された,新しいタイプの不揮発FPGAを実現することが可能となる.この不揮発FPGAは,従来品に対してコンフィグレーションメモリの面積を半分に削減でき,また従来の高速製品と同等の動作速度を有する.さらに部分的な電源遮断技術(パワーゲーティング)を用いた大規模な消費電力削減が可能であるという特長がある. |
(英) |
Novel nonvolatile programmable switch for low-power and high-speed FPGA where MONOS flash is adjacently integrated to CMOS logic is demonstrated. The MONOS transistors and low-voltage switching transistors are fabricated close to each other without deteriorating each performance. Furthermore, memory programming scheme is optimized to realize selective writing with no damage in the switching transistors. MONOS-based configuration memory has a half area of conventional SRAM, and it can be placed in each block in FPGA. That enables efficient power gating that offers low-power FPGA operation. |
キーワード |
(和) |
FPGA / MONOSフラッシュメモリ / 不揮発メモリ / 低消費電力 / / / / |
(英) |
FPGA / MONOS flash memory / Nonvolatile memory / Low power / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-75, pp. 71-76, 2014年8月. |
資料番号 |
SDM2014-75 |
発行日 |
2014-07-28 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2014-75 ICD2014-44 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-75 ICD2014-44 |