電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 10:25
待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
伊藤隆祐中大)・小林伸彰長岡技科大)・榎本忠儀中大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-73 ICD2014-42
抄録 (和) 低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMを開発した。本SRAM実現のため、メモリセルへの供給電圧を書き込み時とデータ保持時に降圧し、読み出し時に昇圧する電圧レベル変換 (Self-controllable Voltage Level;SVL) 回路、ワード線への供給電圧を書き込み時に昇圧し、読み出し時に降圧するSVL回路を開発し、2-kbit、90-nm CMOS SRAMに適用した。電源電圧が1 Vの時、本SRAMの待機時消費電力は0.984 μWで、従来形SRAMの待機時消費電力(10.28 µW) の9.57%であった。改良形SRAMの保持マージンは0.1839 V、従来形SRAMの保持マージンは0.343 Vであった。なお、SVL回路の面積オーバーヘッドは従来形SRAMの1.383 %である。 
(英) We developed and applied a new circuit, called the “Self-controllable Voltage Level (SVL)” circuit, not only to expand both “write” and “read” stabilities, but also to achieve a low standby power dissipation (PST) and a high static-noise margin in a single power supply, 90-nm, 2-kbit, six-transistor CMOS SRAM. The SVL circuit can adaptively lower and higher a word-line voltage for “read” and “write” operations, respectively. It can also adaptively lower and higher a memory cell supply voltage for “write” and “hold” operations, and the “read” operation, respectively. The PST of the developed SRAM is only 0.984 μW, namely, 9.57% of that (10.28 µW) of the conventional SRAM at a supply voltage (VDD) of 1.0 V. A static-noise margin of the developed SRAM is 0.1839 V and that of the conventional SRAM is 0.343 V at VDD of 1.0 V. A Si area overhead of the SVL circuit is only 1.383 % of the conventional SRAM.
キーワード (和) CMOS / SRAM / 保持マージン / 待機時消費電力 / リーク電流 / 電圧レベル変換回路 / 面積オーバーヘッド /  
(英) CMOS / SRAM / static-noise margin / standby power dissipation / leakage current / Self-controllable Voltage Level (SVL) circuit / area overhead /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 175, ICD2014-42, pp. 59-64, 2014年8月.
資料番号 ICD2014-42 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of a Low Standby Power, Six-Transistor CMOS SRAM Employing a Single Power Supply 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(3)(和/英) 保持マージン / static-noise margin  
キーワード(4)(和/英) 待機時消費電力 / standby power dissipation  
キーワード(5)(和/英) リーク電流 / leakage current  
キーワード(6)(和/英) 電圧レベル変換回路 / Self-controllable Voltage Level (SVL) circuit  
キーワード(7)(和/英) 面積オーバーヘッド / area overhead  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆祐 / Ryusuke Ito / イトウ リュウスケ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 伸彰 / Nobuaki Kobayashi / コバヤシ ノブアキ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: NUT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 榎本 忠儀 / Tadayoshi Enomoto / エノモト タダヨシ
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2014-08-05 10:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2014-73,IEICE-ICD2014-42 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会