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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 13:05
[招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-76 ICD2014-45
抄録 (和) オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-FET)に関し、その開発状況を報告する。チャネルにワイドギャップアモルファス酸化物半導体InGaZnO (IGZO, 3.3eV)を用いたNFETが、ノーマリーオフ型NFET動作をし、比較的高い移動度、高オンオフ比を有すること、Si上に形成するLDMOSよりも低いARonが得られることを報告する。BEOL-FET適用範囲拡大に向けたCMOS化の取り組みに関しても報告する。Cu配線プロセス対応で高オンオフ比を有するPFETをアモルファスSnOという材料を用いて実現し、NFETとPFETを同一配線層上に組み込んだ相補型インバータ動作を実証した。また、BEOL-CMOS回路実現の第一ステップとして、六つのトランジスタから構成される6T-SRAMセルの動作実証を行った。 
(英) We report on the latest progress on our proposed new transistor technology called BEOL-FET, in which we form oxide-based transistors in LSI interconnects, aiming at compact on-chip high-voltage interface realization. NFETs using wide-gap amorphous oxide semiconductor InGaZnO (IGZO, 3.3eV) as channel, are shown to exhibit normally-off characteristics, high mobility and high on/off ratio. A lower ARon has been achieved and is now lower than Si-LDMOS. We also report on our work on complementary FET enablement for making these devices applicable to wider range of applications. Cu-process-compatible PFETs are realized with high on/off ratio using amorphous SnO and demonstrate complementary inverter operation with NFET/PFET integrated on the same interconnect level. 6T-SRAM operation was verified as a first step towards BEOL-CMOS logic circuits.
キーワード (和) BEOL-Tr / BEOL-FET / 酸化物半導体 / 高耐圧 / プリドライバ / IGZO / SnO / CMOS  
(英) BEOL-Tr / BEOL-FET / oxide semiconductor / high-VBD / pre-driver / IGZO / SnO / CMOS  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-76, pp. 77-82, 2014年8月.
資料番号 SDM2014-76 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Oxide Semiconductor-based Transistors Formed in LSI Interconnects 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) BEOL-Tr / BEOL-Tr  
キーワード(2)(和/英) BEOL-FET / BEOL-FET  
キーワード(3)(和/英) 酸化物半導体 / oxide semiconductor  
キーワード(4)(和/英) 高耐圧 / high-VBD  
キーワード(5)(和/英) プリドライバ / pre-driver  
キーワード(6)(和/英) IGZO / IGZO  
キーワード(7)(和/英) SnO / SnO  
キーワード(8)(和/英) CMOS / CMOS  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura / スナムラ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 古武 直也 / Naoya Furutake / フルタケ ナオヤ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 忍 / Shinobu Saito / サイトウ シノブ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 成広 充 / Mitsuru Narihiro / ナリヒロ ミツル
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: REL)
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講演者
発表日時 2014-08-05 13:05:00 
発表時間 50 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-76,IEICE-ICD2014-45 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.77-82 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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