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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-05 09:00
[招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
平本俊郎上田晃頌鄭 承旻水谷朋子更屋拓哉東大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-71 ICD2014-40
抄録 (和) 0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にVthが低下し,オフ時にVthが上昇するため,高いオン・オフ比と安定なSRAMセル動作が得られる.提案デバイスはフローティングゲートを持ち,このフローティングゲートに電荷が注入あるいはフローティングゲートから電荷が放出されることによりVthが自己調整される.0.1VにおいてnFETおよびpFETのVth自己調整機能を実験により確認した.さらにVth自己整合nFETとpFETからなる6T SRAMセルにおいて,Vth自己調整機能による0.1Vでの安定動作を実証した. 
(英) A new Vth self-adjusting MOSFET operating at 0.1V is proposed, where Vth automatically decreases at on-state and increases at off-state, resulting in high Ion/Ioff ratio as well as stable SRAM operation at low Vdd. The device has a floating gate. The charges are injected into and from the floating gate, and Vth is self-adjusted. The Vth self-adjustment of nFETs and pFETs at 0.1V and the minimum operation voltage in 6T SRAM cell at 0.1V are experimentally demonstrated.
キーワード (和) フローティングゲート / サブスレッショルド動作 / SRAMノイズマージン / 100mV動作 / / / /  
(英) Floating Gate / Subthreshold operation / SRAM noise margin / 100mV operation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-71, pp. 51-54, 2014年8月.
資料番号 SDM2014-71 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ultra-Low Voltage (0.1V) Operation of Threshold Voltage Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フローティングゲート / Floating Gate  
キーワード(2)(和/英) サブスレッショルド動作 / Subthreshold operation  
キーワード(3)(和/英) SRAMノイズマージン / SRAM noise margin  
キーワード(4)(和/英) 100mV動作 / 100mV operation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 晃頌 / Akitsugu Ueda / ウエダ アキツグ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鄭 承旻 / Seung-Min Jung / Seung-Min Jung
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2014-08-05 09:00:00 
発表時間 50 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-71,IEICE-ICD2014-40 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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