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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-04 13:55
[招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技術研究組合エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-68 ICD2014-37
抄録 (和) 本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高速動作,低電圧動作などの特徴により,現状のメモリ階層のキャッシュSRAMや混載DRAMを置き換えが期待されている,スピン注入型MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic RAM,STT-MRAM)を紹介する.次に,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の,システムLSI混載用STT-MRAMの高密度,低消費電力化に向けて,特性ばらつきを増大させずに,情報を保持するMagnetic Tunneling Junction (MTJ)を微細にする新しいプロセス技術を紹介する. 
(英) We report the current status of our development of spin-transfer torque magnetic RAMs (STT-MRAMs) and their integration with the back-end-of-line (BEOL) process to replace conventional embedded SRAM cache memories. In order to enhance CPU performance, it is very effective to increase cache memory capacity. If we can reduce the switching current, we can reduce MRAM cell size and increase memory capacity. To reduce the switching current, shrinking MTJ is effective. On the other hand, under the same lithography technology, the smaller the MTJ, the larger the variation in MTJ size. This paper describes the new process for fabricating smaller MTJs for high density RAMs without increasing MTJ size variation.
キーワード (和) 混載メモリ / スピン注入 / STT-MRAM / MTJ / 低消費電力 / 低電圧 / /  
(英) Spin transfer torque / STT-MRAM / MTJ / Low power / Embedded / BEOL / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-68, pp. 35-38, 2014年8月.
資料番号 SDM2014-68 
発行日 2014-07-28 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2014-08-04 - 2014-08-05 
開催地(和) 北海道大学 情報教育館(札幌市) 
開催地(英) Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) STT-MRAM Development for Embedded Cache Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 混載メモリ / Spin transfer torque  
キーワード(2)(和/英) スピン注入 / STT-MRAM  
キーワード(3)(和/英) STT-MRAM / MTJ  
キーワード(4)(和/英) MTJ / Low power  
キーワード(5)(和/英) 低消費電力 / Embedded  
キーワード(6)(和/英) 低電圧 / BEOL  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / スギイ トシヒロ
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 射場 義久 / Yoshihisa Iba / イバ ヨシヒサ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 正樹 / Masaki Aoki / アオキ マサキ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 能代 英之 / Hideyuki Noshiro / ノシロ ヒデユキ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 角田 浩司 / Koji Tsunoda / ツノダ コウジ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada / ハタダ ヨシアキ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi / ナカバヤシ マサアキ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki / ヤマザキ ユウイチ
第8著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 厚 / Atsushi Takahashi / タカハシ アツシ
第9著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 親子 / Chikako Yoshida / ヨシダ チカコ
第10著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技術研究組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
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講演者
発表日時 2014-08-04 13:55:00 
発表時間 50 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2014-68,IEICE-ICD2014-37 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.174(SDM), no.175(ICD) 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2014-07-28,IEICE-ICD-2014-07-28 


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