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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-01 15:50 Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT）  ED2014-60 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-60 |
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| 抄録 | （和） | Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、Al2O3のバンドギャップ6.8±0.2 eV、界面での伝導帯、価電子帯バンドオフセット、それぞれ1.5±0.2 eVと0.7±0.2 eVを得た。伝導帯オフセットは、Au/Al2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 金属-酸化物-半導体 (Metal-Oxide-Semiconductor: MOS) ダイオードにおいて、順方向バイアス時に流れるトンネル電流のFowler-Nordheimトンネル電流解析からも見積もった。この電気的手法で得た値は、XPSスペクトル解析から得た値とよく一致した。さらに、MOSダイオードは、理想曲線によく一致する容量-電圧特性を示した。これは、Al2O3/Ga2O3界面の界面準位が低い事を示唆している。 |
| （英） | The band alignment of Al2O3/n-Ga2O3 (010) was investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). With a band gap of 6.8±0.2 eV measured for Al2O3, the conduction and valence band offsets at the interface were estimated to be 1.5±0.2 eV and 0.7±0.2 eV, respectively. The conduction band offset was also obtained from tunneling current in Au/Al2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) metal-oxide-semiconductor (MOS) diodes using the Fowler-Nordheim model. The electrically extracted value was in good agreement with the XPS data. Furthermore, the MOS diodes exhibited small capacitance-voltage hysteresis loops, indicating the successful engineering of a high-quality Al2O3/Ga2O3 interface. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / バンドアライメント / x線光電子分光法 / トンネル電流 / / / / |
| （英） | Gallium oxide / band alignment / x-ray photoelectron spectroscopy / tunneling current / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-60, pp. 41-46, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-60 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-60 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Band offset at Al2O3/β-Ga2O3 Heterojunctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | バンドアライメント / band alignment |
| キーワード(3)（和/英） | x線光電子分光法 / x-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル電流 / tunneling current |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 崇史 / Takafumi Kamimura / カミムラ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National institute of information and communications technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 公平 / Kohei Sasaki / ササキ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ) Tamura Corporation (略称： Tamura Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黄 文海 / Man Hoi Wong / ワン マンホイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National institute of information and communications technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | ダイワシガマニ キルシナムルティ / Daivasigamani Krishnamurthy / ダイワシガマニ キルシナムルティ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National institute of information and communications technology (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉又 朗人 / Akito Kuramata / クラマタ アキト |
| 第5著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ) Tamura Corporation (略称： Tamura Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増井 建和 / Takekazu Masui / マスイ タケカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 光波 (略称： 光波) Koha Co., Ltd. (略称： Koha Co., Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山越 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi / ヤマコシ シゲノブ |
| 第7著者 所属（和/英） | タムラ製作所 (略称： タムラ) Tamura Corporation (略称： Tamura Corp.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第8著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National institute of information and communications technology (略称： NICT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-01 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-60 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) |
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