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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-01 16:15 硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 ○斎藤吉広・鶴見大輔・飯原順次・富永愛子・米村卓巳・山口浩司（住友電工）  ED2014-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-61 |
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| 抄録 | （和） | 電子デバイス用GaAs半導体の表面状態に関し、硬X線光電子分光(HAXPES)による分析を行った。特に、GaAs表面の酸化物に着目し、その多寡がGaAs電子準位のエネルギーに与える影響について調べた。その結果、酸化物が多量に存在する場合、Ga2p及びAs2pのピーク位置は低エネルギー側にシフトすることが確認された。酸化物は電子トラップの起源と考えられ、また、酸化物を適切に制御することで、耐圧特性に優れたGaAs高電子移動度トランジスタ(HEMT)を実現できるものと期待される。 GaAs，HEMT, HAXPES, Surface Trap, Oxide |
| （英） | Abstract The surface states of GaAs have been characterized, by using the hard x-ray photoemission spectroscopy (HAXPES) technique. To investigate the effect of the oxide on the surface state, two specimens with different quantities of surface oxide were prepared. The HAXPES measurements of Ga2p3/2 and As2p3/2 clarified that, in the specimen with more quantity of oxide, the binding energies of both orbitals were lowered by approximately 0.2 eV. The binding energy shift demonstrates the existence of negative charge at the GaAs surface and the most probable origin of the electron traps is the oxide on GaAs surface. Controlling the oxide quantity is expected to lead to GaAs high electron mobility transistors (HEMTs) with excellent breakdown voltage. | |
| キーワード | （和） | GaAs / HAXPES / 表面酸化物 / 電子トラップ / HEMT / / / |
| （英） | GaAs / HEMT / HAXPES / Surface Trap / Oxide / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-61, pp. 47-50, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-61 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 硬Ｘ線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HAXPES Analysis for GaAs Surface State for Electronics Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | HAXPES / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 表面酸化物 / HAXPES |
| キーワード(4)（和/英） | 電子トラップ / Surface Trap |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / Oxide |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斎藤 吉広 / Yoshihiro Saito / サイトウ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電気工業 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries (略称： SEI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴見 大輔 / Daisuke Tsurumi / ツルミ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電気工業 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries (略称： SEI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯原 順次 / Junji Iihara / イイハラ ジュンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電気工業 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries (略称： SEI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富永 愛子 / Aiko Tominaga / トミナガ アイコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電気工業 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries (略称： SEI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米村 卓巳 / Takumi Yonemura / ヨネムラ タクミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries (略称： SEI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 浩司 / Koji Yamaguchi / ヤマグチ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電気工業 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries (略称： SEI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-01 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-61 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) |
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