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| 講演名 | 2014-08-01 13:30 ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大）  ED2014-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-56 |
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| 抄録 | （和） | 高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に重要である。強くドープしたInPソースがInGaAs MOSFETにおいて高いI_{on}を示す為に導入され、ドレイン電圧0.5 Vにおいて、ドレイン電流2.4 mA/μm を測定した。GaAsSb ソースを低いI_{off}の為の InGaAs トンネルFETに導入した。狭いチャネルボディは急峻なサブスレッショルド(SS)特性の為には必須であり、作製された26 nm 幅のボディを持つGaAsSb/InGaAs 縦型トンネル FET は急峻なSSを示した。さらに、高いI_{on}と低いI_{off}を両立すべく、InGaAs/InP 超格子ソースについて検討を行った。 |
| （英） | Abstract High on-currents (I_{on}) and low off-currents (I_{off}) under low supply voltage are important for logic applications. A heavily doped InP source was introduced to demonstrate the existence of high I_{on} in InGaAs MOSFETs, and I_D = 2.4 mA/$myu$m at V_D = 0.5 V was observed. GaAsSb source was introduced in InGaAs tunnel FET to realize low I_{off}. Narrow channel body was found to be essential for steep sub-threshold (SS) dependence, and a fabricated GaAsSb/InGaAs vertical tunnel FET with a 26 nm wide body showed steep SS. In addition, an InGaAs/InP super-lattice source was studied to consider the possibility of simultaneous high I_{on} and low I_{off} realization. | |
| キーワード | （和） | InGaAs MOSFET / ソース構造 / トンネルFET / 超格子ソース / / / / |
| （英） | InGaAs MOSFETs / Source structure / Tunnel FET / Super-lattice source / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-56, pp. 19-24, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-56 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs MOSFET / InGaAs MOSFETs |
| キーワード(2)（和/英） | ソース構造 / Source structure |
| キーワード(3)（和/英） | トンネルFET / Tunnel FET |
| キーワード(4)（和/英） | 超格子ソース / Super-lattice source |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米内 義晴 / Yoshiharu Yonai / ヨナイ ヨシハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 淳 / Atsushi Kato / カトウ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤松 基彦 / Motohiko Fujimatsu / フジマツ モトヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柏野 壮志 / Masashi Kashiwano / カシワノ マサシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大澤 一斗 / Kazuto Ohsawa / オオサワ カズト |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 一水 / Kazumi Ohashi / オオハシ カズミ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technoloy (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-01 13:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-56 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) |
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