| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-01 10:30 ［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 ○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研）  ED2014-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-53 |
|
| 抄録 | （和） | 従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開発した。ダイオードはInPに格子整合したp-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsで構成され、室温で動作する。これらの不純物濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える非線形特性を得ることができた。さらに、94GHzで20,000 V/Wの高い検波感度を達成した。このダイオードとInP HEMT低雑音増幅器を組み合わせることで、極めて高い感度のミリ波受信器を実現できる。 |
| （英） | We have developed highly sensitive backward diodes instead of conventional Schottky diodes for millimeter-wave detection. The backward diodes consisted of p-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAs layers which were lattice matched to InP substrate. They can operate at room temperature and zero-bias condition. We achieved a large nonlinear characteristic which exceed that of ideal Schottky diodes. Furthermore, sensitivity of 20,000 V/W was obtained at 94 GHz when doping concentration in the backward diodes was optimized. We believe that extremely sensitive millimeter-wave receiver could be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs. | |
| キーワード | （和） | トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / 非線形 / GaAsSb / ゼロバイアス / 検波 / 感度 |
| （英） | tunnel diode / backward / millimeter wave / nonlinearity / GaAsSb / zero bias / detector / sensitivity | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-53, pp. 1-6, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-53 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-53 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly sensitive GaAsSb-based backward diodes for millimeter-wave detection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルダイオード / tunnel diode |
| キーワード(2)（和/英） | バックワード / backward |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | 非線形 / nonlinearity |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(6)（和/英） | ゼロバイアス / zero bias |
| キーワード(7)（和/英） | 検波 / detector |
| キーワード(8)（和/英） | 感度 / sensitivity |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 大介 / Taisuke Iwai / イワイ タイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 1 |
| 発表日時 | 2014-08-01 10:30:00 |
| 発表時間 | 50 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | IEICE-ED2014-53 |
| 巻番号（vol） | IEICE-114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | IEICE-6 |
| 発行日 | IEICE-ED-2014-07-25 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]