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講演抄録/キーワード
講演名 2014-08-01 10:30
[招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
高橋 剛佐藤 優中舍安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-53
抄録 (和) 従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開発した。ダイオードはInPに格子整合したp-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsで構成され、室温で動作する。これらの不純物濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える非線形特性を得ることができた。さらに、94GHzで20,000 V/Wの高い検波感度を達成した。このダイオードとInP HEMT低雑音増幅器を組み合わせることで、極めて高い感度のミリ波受信器を実現できる。 
(英) We have developed highly sensitive backward diodes instead of conventional Schottky diodes for millimeter-wave detection. The backward diodes consisted of p-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAs layers which were lattice matched to InP substrate. They can operate at room temperature and zero-bias condition. We achieved a large nonlinear characteristic which exceed that of ideal Schottky diodes. Furthermore, sensitivity of 20,000 V/W was obtained at 94 GHz when doping concentration in the backward diodes was optimized. We believe that extremely sensitive millimeter-wave receiver could be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs.
キーワード (和) トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / 非線形 / GaAsSb / ゼロバイアス / 検波 / 感度  
(英) tunnel diode / backward / millimeter wave / nonlinearity / GaAsSb / zero bias / detector / sensitivity  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-53, pp. 1-6, 2014年8月.
資料番号 ED2014-53 
発行日 2014-07-25 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2014-08-01 - 2014-08-01 
開催地(和) 機械振興会館B3-1室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
テーマ(英) Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-07-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Highly sensitive GaAsSb-based backward diodes for millimeter-wave detection 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トンネルダイオード / tunnel diode  
キーワード(2)(和/英) バックワード / backward  
キーワード(3)(和/英) ミリ波 / millimeter wave  
キーワード(4)(和/英) 非線形 / nonlinearity  
キーワード(5)(和/英) GaAsSb / GaAsSb  
キーワード(6)(和/英) ゼロバイアス / zero bias  
キーワード(7)(和/英) 検波 / detector  
キーワード(8)(和/英) 感度 / sensitivity  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ
第1著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第2著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第3著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ
第4著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第5著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 大介 / Taisuke Iwai / イワイ タイスケ
第6著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
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講演者
発表日時 2014-08-01 10:30:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2014-53 
巻番号(vol) IEICE-114 
号番号(no) no.168 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2014-07-25 


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