講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-08-01 10:30
[招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 ○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介(富士通研) ED2014-53 エレソ技報アーカイブへのリンク: ED2014-53 |
抄録 |
(和) |
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開発した。ダイオードはInPに格子整合したp-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsで構成され、室温で動作する。これらの不純物濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える非線形特性を得ることができた。さらに、94GHzで20,000 V/Wの高い検波感度を達成した。このダイオードとInP HEMT低雑音増幅器を組み合わせることで、極めて高い感度のミリ波受信器を実現できる。 |
(英) |
We have developed highly sensitive backward diodes instead of conventional Schottky diodes for millimeter-wave detection. The backward diodes consisted of p-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAs layers which were lattice matched to InP substrate. They can operate at room temperature and zero-bias condition. We achieved a large nonlinear characteristic which exceed that of ideal Schottky diodes. Furthermore, sensitivity of 20,000 V/W was obtained at 94 GHz when doping concentration in the backward diodes was optimized. We believe that extremely sensitive millimeter-wave receiver could be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs. |
キーワード |
(和) |
トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / 非線形 / GaAsSb / ゼロバイアス / 検波 / 感度 |
(英) |
tunnel diode / backward / millimeter wave / nonlinearity / GaAsSb / zero bias / detector / sensitivity |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-53, pp. 1-6, 2014年8月. |
資料番号 |
ED2014-53 |
発行日 |
2014-07-25 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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